1N5251BRL 时间：2025/12/27 17:30:47 阅读：14

1N5251BRL是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管，属于1N52xx系列的微型玻璃封装（DO-35）稳压器件。该器件设计用于低功率稳压应用，具有稳定的电压基准特性和良好的温度稳定性。1N5251BRL的标称齐纳电压为4.7V，在额定测试电流下可提供精确的电压钳位功能，广泛应用于模拟电路、电源管理、信号调理和过压保护等场景。其小型化的玻璃封装使其非常适合空间受限的PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代无铅焊接工艺。1N5251BRL在制造过程中经过严格筛选，确保电压容差控制在±5%以内，满足对精度要求较高的应用场景。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：DO-35（玻璃）
　　齐纳电压（Vz）：4.7V
　　电压容差：±5%
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：10Ω（在测试电流下）
　　测试电流（Iz）：20mA
　　最大反向漏电流（Ir）：5μA（在额定电压下）
　　最大功耗（Ptot）：500mW
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　引脚数：2

特性

1N5251BRL齐纳二极管的核心特性之一是其精确且稳定的齐纳击穿电压。该器件在20mA的测试电流下提供标称4.7V的稳压值，电压偏差控制在±5%以内，确保在各种工作条件下都能维持可靠的电压基准。这一特性使其成为电压参考源的理想选择，尤其适用于需要高重复性和低漂移的模拟电路中，如ADC或DAC的参考电压源、传感器信号调理电路中的偏置生成等。其低动态阻抗（最大10Ω）意味着在负载变化时输出电压波动较小，增强了系统的稳定性。
　　该器件采用DO-35玻璃封装，具有良好的热传导性能和机械强度，能够在-65°C至+175°C的宽结温范围内正常工作，适用于工业级和汽车级环境。尽管其最大功耗为500mW，但由于封装尺寸小，实际使用中需注意散热设计，避免长时间工作在极限功率状态以防止热失效。此外，1N5251BRL具备较低的反向漏电流（典型值小于5μA），在待机或低功耗模式下对系统影响极小，适合电池供电设备。
　　1N5251BRL还表现出优异的长期稳定性和老化特性，电压漂移随时间变化极小，确保产品在整个生命周期内保持性能一致性。其快速响应特性也使其可用于瞬态电压抑制场合，例如在输入端口防止静电放电（ESD）或电压尖峰对后续电路造成损坏。由于其标准化参数和广泛应用历史，该型号已成为电子设计中的常用元件，技术支持资料丰富，便于工程师进行仿真建模和故障排查。

应用

1N5251BRL常用于需要稳定4.7V参考电压的电路中，典型应用包括低压直流电源的稳压电路、运算放大器的偏置电压设置、TTL或CMOS逻辑电平转换中的钳位保护、以及作为反馈回路中的基准元件。在嵌入式系统中，它可以为微控制器的复位电路或ADC模块提供可靠参考。此外，该器件也广泛用于消费类电子产品、工业控制板、通信设备和便携式仪器中，实现过压保护和电压箝位功能。由于其小型化封装和高可靠性，特别适合高密度PCB布局和自动化贴装工艺。在测试测量设备中，1N5251BRL可用作校准基准，确保信号链的准确性。