型号：15MQ040NPBF
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管阵列
　　封装类型：TO-220FP
　　通道数：2
　　最大反向重复峰值电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　最大RMS电压（VRMS）：28V
　　最大直流正向电流（IF）：15A
　　每管芯最大平均正向整流电流（IF(AV)）：15A
　　正向压降（VF）：典型值0.52V（在IF = 15A, TJ = 125°C时）
　　最大正向压降（VF）：0.58V（在IF = 15A, TJ = 125°C时）
　　最大反向漏电流（IR）：500μA（在VR = 40V, TJ = 125°C时）
　　热阻结到外壳（RθJC）：1.6°C/W
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　安装方式：通孔（Through Hole）

15MQ040NPBF的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，该技术利用金属与半导体之间的势垒形成单向导电性，相较于传统的PN结二极管，肖特基二极管具有更低的正向导通压降和更快的开关速度。这一特性使得15MQ040NPBF在高频率开关电源中表现尤为出色，能够有效减少导通损耗，从而提升电源转换效率。在实际应用中，尤其是在DC-DC降压或升压转换器中，低VF意味着更少的能量以热量形式耗散，这对于紧凑型高功率密度设计至关重要。同时，由于其快速的反向恢复时间（几乎可忽略不计），15MQ040NPBF在高频工作条件下不会产生明显的反向恢复电荷（Qrr），这不仅降低了开关损耗，还减少了因电流突变引起的电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提升系统电磁兼容性（EMC）性能。
　　该器件的双二极管结构提供了更高的集成度，允许设计者在一个封装内实现两个独立的整流路径，适用于中心抽头变压器整流或双路输出电源设计。TO-220FP封装具备优良的热传导能力，其热阻结到外壳仅为1.6°C/W，这意味着在高负载条件下，热量可以迅速从芯片传递到散热器，从而有效控制结温上升，确保器件在高温环境下仍能稳定运行。15MQ040NPBF支持高达175°C的最大结温，使其能够在恶劣的工业环境中长期可靠工作。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等，确保其在长时间运行中的稳定性与耐久性。其无铅（Pb-free）设计符合现代环保法规要求，适用于绿色电子产品制造。

15MQ040NPBF广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合对效率和散热有较高要求的场合。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧整流元件，特别是在低电压大电流输出的电源中，如服务器电源、通信电源模块和台式计算机电源单元（PSU），其低正向压降特性可显著提升整机效率。在DC-DC转换器中，无论是隔离型还是非隔离型拓扑（如同步降压、半桥或全桥拓扑），15MQ040NPBF都能作为续流二极管或同步整流的辅助元件，帮助降低系统功耗。此外，该器件也适用于电池充电管理系统，用于防止电池反向放电或实现多电池组间的能量隔离。在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，15MQ040NPBF可用于输入或输出端的防反接保护和整流功能。工业电机驱动、电动工具和电动汽车的辅助电源系统中也常见其身影。由于其高电流承载能力和良好的热性能，该器件还可用于大功率LED驱动电源、焊接设备和电信基础设施中的电源模块。总之，任何需要高效、快速、可靠整流的低压直流应用都可以考虑使用15MQ040NPBF作为关键元器件。

MBR1540CTG
　　SB1540
　　SR3040PT