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1N4987US 发布时间 时间:2025/12/24 18:34:27 查看 阅读:10

1N4987US 是一款常用的硅整流二极管,广泛用于电源转换和整流电路中。该器件采用SOD-123表面贴装封装,适用于各类消费类电子设备、工业控制系统以及电源适配器等应用场景。

参数

类型:整流二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):200 V
  最大平均整流电流(IO):200 mA
  峰值浪涌电流(IFSM):4 A
  正向压降(VF):1.25 V(最大值,@ 200 mA)
  反向漏电流(IR):5 μA(最大值,@ 200 V)
  工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C
  存储温度范围:-55 °C 至 +150 °C
  封装形式:SOD-123

特性

1N4987US 二极管具有较高的反向耐压能力和良好的热稳定性,适合在中高电压应用中使用。其SOD-123封装形式便于自动化生产和表面贴装,减小了电路板空间占用。
  该器件的正向压降较低,在200 mA工作电流下最大为1.25 V,有助于降低功耗,提高电源效率。同时,其反向漏电流极小,最大仅为5 μA,在高温环境下仍能保持稳定工作。
  此外,1N4987US 具有较强的抗浪涌能力,可承受高达4 A的峰值浪涌电流,增强了其在复杂电源环境中的可靠性。该二极管还具有良好的焊接性能和长期稳定性,适用于各种高可靠性要求的应用场景。

应用

1N4987US 常用于开关电源、充电器、适配器、LED驱动电路、整流桥电路以及各类低功率电源转换电路中。其SOD-123封装形式适用于自动贴片工艺,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制设备等。

替代型号

1N4148WS, 1N5819, 1N4001

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1N4987US参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥103.03070散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)160 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值5 W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)350 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏2 μA @ 121.6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.5 V @ 1 A
  • 工作温度-65°C ~ 175°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SQ-MELF,E
  • 供应商器件封装D-5B