时间:2025/12/26 10:54:32
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1N4935-T是一款高速整流二极管,广泛应用于电源转换、开关电源和逆变器等电路中。该器件采用标准的DO-41封装,具有较高的反向耐压能力和良好的热稳定性,适用于中等功率的整流场合。1N4935-T的核心功能是将交流电转换为直流电,并在高频工作条件下保持较低的正向导通损耗和快速的反向恢复特性。由于其优异的开关性能,该二极管常被用于需要快速响应和高效率的电子设备中。
该器件的命名遵循JEDEC标准,其中“1N”表示美国电子工业联盟(EIA)注册的标准二极管,“4935”为具体型号,“-T”通常表示编带包装形式,适合自动化贴片生产流程。1N4935-T虽然不是贴片封装,但因其引脚设计兼容波峰焊和手工焊接,在中小功率电源适配器、LED驱动电源、家电控制板等领域仍有广泛应用。
作为一款高压快恢复二极管,1N4935-T能够在高达400V的反向电压下稳定工作,同时具备较低的反向漏电流和较高的峰值浪涌电流承受能力,确保系统在瞬态负载或电压波动时仍能可靠运行。此外,其结构设计优化了热传导路径,有助于在连续工作状态下有效散热,延长使用寿命。制造商通常会提供详细的热阻参数和降额曲线,以指导用户在不同环境温度下的安全使用范围。
类型:快恢复二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):400 V
最大直流阻断电压(VR):400 V
最大RMS电压(VRMS):280 V
最大平均整流电流(IO):1 A
峰值非重复浪涌电流(IFSM):30 A
正向压降(VF):1.5 V(典型值,@ 1 A)
最大反向漏电流(IR):5 μA(@ 25°C, VR = 400 V)
反向恢复时间(trr):500 ns(最大值)
工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围(TSTG):-55 °C 至 +150 °C
封装形式:DO-41(Axial Lead)
安装方式:通孔安装(Through-Hole)
1N4935-T具备优良的快恢复特性,反向恢复时间(trr)典型值为500ns,使其适用于中高频开关电源应用。在开关过程中,二极管从导通状态切换到截止状态时,能够迅速清除载流子,减少反向恢复电流尖峰,从而降低电磁干扰(EMI)并提高整体转换效率。这一特性对于减少功率损耗和防止与主开关管(如MOSFET或IGBT)发生二次击穿至关重要。同时,较短的恢复时间也有助于提升系统的动态响应能力,尤其在脉宽调制(PWM)控制的电源拓扑中表现优异。
该器件的最大重复峰值反向电压为400V,可承受瞬时高压冲击,适合用于市电整流后的续流或钳位电路。在AC-DC转换器中,1N4935-T常被用作桥式整流后的输出整流管,或在反激式变换器中作为次级侧整流元件。其1A的平均整流电流能力足以支持数十瓦级别的电源输出,满足大多数消费类电子产品的需求。
正向压降在额定电流1A下约为1.5V,虽略高于肖特基二极管,但由于其更高的耐压能力和更好的高温稳定性,在高温环境下仍能保持可靠的性能表现。此外,该器件具有良好的浪涌电流承受能力,可达30A(单次半正弦波,8.3ms),可在开机瞬间吸收较大的冲击电流而不损坏,增强了系统的抗干扰性和耐用性。
1N4935-T采用玻璃钝化PN结工艺制造,提高了表面绝缘性能和长期可靠性。其DO-41封装结构成熟,机械强度高,便于手工焊接和自动插件生产线使用。尽管体积相对较大,但在对成本敏感且空间要求不高的应用场景中仍具优势。
1N4935-T广泛应用于各类中低功率开关电源(SMPS)中,特别是在反激式、正激式和半桥拓扑结构的次级侧整流电路中发挥关键作用。它也常用于AC-DC适配器、充电器、LED照明电源模块以及小型家用电器的内部电源单元中,实现高效的交流到直流转换。此外,该器件可用于电机驱动电路中的续流二极管,保护晶体管免受感性负载产生的反电动势损害。
在工业控制领域,1N4935-T可用于PLC输入模块的信号整流、继电器驱动回路的反向电压抑制以及传感器供电电路中的整流环节。由于其良好的温度适应性和长期稳定性,也可用于户外设备或环境条件较为恶劣的应用场景。
在UPS不间断电源、逆变器和DC-DC转换器中,1N4935-T可作为隔离型拓扑中的输出整流管或辅助电源整流元件。其快速恢复特性有助于减少开关损耗,提升系统效率。同时,由于其具备较高的峰值浪涌电流能力,特别适合应对频繁启停或负载突变的工况,保障电源系统的稳定运行。
1N4936,1N4937,UF4005,FR107