类型：齐纳二极管
　　封装：DO-41
　　额定齐纳电压：6.8V
　　最大齐纳电流：195mA
　　最大功耗：1W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 175°C
　　正向压降：1.5V @ 200mA
　　最大反向漏电流：100nA @ 1V

1N4755AM 齐纳二极管具有多个显著的电气和热特性，确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。该器件在反向击穿模式下提供精确的 6.8V 齐纳电压，具有 ±5% 的容差，确保在电压调节和参考应用中的准确性。其最大齐纳电流为 195mA，允许在较高负载条件下保持稳定的电压输出。
　　该齐纳二极管采用 DO-41 通孔封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合在多种 PCB 布局中使用。其最大功耗为 1W，能够在较宽的环境温度范围内（-55°C 至 175°C）稳定工作，适用于工业和汽车应用。
　　此外，1N4755AM 在正向导通状态下具有 1.5V 的正向压降，在 200mA 正向电流下表现良好，确保快速响应和低功耗。反向漏电流在 1V 反向电压下最大为 100nA，表明其在低电压下的优异阻断能力。这些特性使其成为电压参考、过压保护、稳压电路和信号调理电路的理想选择。

1N4755AM 主要用于需要稳定 6.8V 电压参考的电子电路中。典型应用包括开关电源、线性稳压器、电池充电器和电压监测电路。在这些应用中，该齐纳二极管可作为基准电压源，确保电路的稳定性和精确性。
　　此外，该器件也可用于信号调理电路，作为过压保护元件，防止敏感电路受到瞬态电压或过电压的损害。在模拟和数字电路中，1N4755AM 可用于提供稳定的参考电压，以确保 ADC 和 DAC 的精度。
　　由于其良好的温度稳定性和可靠性，该齐纳二极管也广泛应用于工业控制系统、测试测量设备、汽车电子模块以及消费类电子产品中。

1N5235, BZX55C6V8, 1N4733A, LM385-6.8