1N4735A-G 是一种常见的齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压调节和稳压电路中。该器件由Vishay Semiconductors制造,采用DO-41封装,适用于各种通用电子设备和工业控制系统。其标称齐纳电压为6.2V,具备良好的稳定性和温度特性,能够在一定的电流范围内维持恒定的电压输出。
类型:齐纳二极管
封装:DO-41
最大耗散功率:1W
标称齐纳电压(@ Izt):6.2V(@ 20mA)
最大齐纳电压(@ Izt):6.49V
最小齐纳电压(@ Izt):5.91V
最大齐纳阻抗(Zzt):10Ω
最大反向漏电流(@ Vr):100nA(@ 1V)
工作温度范围:-65°C 至 +200°C
存储温度范围:-65°C 至 +200°C
1N4735A-G 齐纳二极管具有多个优良的电气和热性能特性,适合在广泛的电子应用中使用。其主要特性包括稳定的齐纳电压控制能力、低动态阻抗、良好的温度稳定性以及高可靠性。
首先,该器件在工作电流范围内能够提供非常稳定的齐纳电压,这对于电压参考、稳压电路以及过压保护电路至关重要。其标称电压为6.2V,在20mA的测试电流下保持稳定,允许的电压波动范围在5.91V至6.49V之间,确保了在不同工作条件下的精确控制。
其次,1N4735A-G 具有较低的齐纳阻抗(Zzt),最大为10Ω,这意味着在负载变化时,电压波动较小,从而提高了系统的稳定性。这种低阻抗特性使其在需要高精度电压基准的应用中表现出色。
此外,该器件具备良好的温度稳定性,能够在-65°C至+200°C的宽温度范围内正常工作,适用于恶劣环境下的电子设备。其DO-41封装形式不仅结构坚固,而且具有良好的散热性能,有助于在较高功率下维持稳定运行。
最后,1N4735A-G 的最大反向漏电流在1V反向电压下仅为100nA,表明其在非导通状态下的功耗非常低,适用于对功耗敏感的电路设计。
1N4735A-G 主要用于各类电压调节、参考电压源、过压保护电路以及模拟和数字电子系统中的稳压应用。例如,它常用于电源管理电路中作为电压基准,为运算放大器、比较器等模拟器件提供稳定的参考电压;在电池供电设备中用于确保稳定的电源电压以延长设备使用寿命;在工业控制系统中作为电压钳位器件,防止瞬态高压对敏感电子元件造成损坏。
此外,1N4735A-G 还广泛应用于通信设备、测量仪器、消费类电子产品和汽车电子系统中,提供精确的电压控制和保护功能。在嵌入式系统设计中,该齐纳二极管可用于微控制器(MCU)或数字信号处理器(DSP)的电源监控电路,以确保系统在电压异常时能够正确复位或进入安全模式。
1N4735A, 1N5235B-T, BZX84C6V2, MM5Z6V2B