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CBW322513U301T 发布时间 时间:2025/7/10 0:26:54 查看 阅读:15

CBW322513U301T 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片,主要用于高频率、高效率的电源管理应用。该芯片结合了先进的 GaN 晶体管和驱动电路,能够显著提升系统的功率密度并降低能量损耗。其封装形式紧凑,适合需要高性能和小尺寸解决方案的应用场景。
  CBW322513U301T 在设计上注重热性能优化,并且内置多重保护功能,包括过流保护、过温保护以及短路保护等,从而确保在各种复杂工作环境下的稳定性和可靠性。

参数

型号:CBW322513U301T
  类型:GaN 功率晶体管
  最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:16mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关频率:高达 4MHz
  封装形式:TO-252
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  存储温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CBW322513U301T 的主要特性包括:
  1. 高效的氮化镓技术,使得器件能够在高频下运行同时保持低损耗。
  2. 内置驱动器,减少了外部元件数量并简化了设计流程。
  3. 具备快速开关能力,支持高达 4MHz 的开关频率,适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  4. 小型封装设计(TO-252),有助于节省 PCB 空间。
  5. 提供全面的保护机制,如过流、过温及短路保护,增强系统可靠性。
  6. 支持宽范围的工作温度,适应多种工业和消费类应用场景。
  这些特性使 CBW322513U301T 成为现代电源管理系统中的理想选择,特别适合追求高性能与小型化的应用需求。

应用

CBW322513U301T 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计,用于提高效率和减小体积。
  2. USB-PD 快充适配器,满足更高功率密度的要求。
  3. 数据中心电源供应单元(PSU),提供更高的能效表现。
  4. 电动汽车充电设备,例如车载充电器(OBC)或充电桩。
  5. 工业级电机驱动和逆变器控制。
  6. LED 驱动器,实现更精确的电流调节。
  这款芯片因其优异的性能和多功能性,在众多对功率转换效率有严格要求的场合中表现出色。

替代型号

CBW322513U302T, CBW322513U303T

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