CBW322513U301T 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片,主要用于高频率、高效率的电源管理应用。该芯片结合了先进的 GaN 晶体管和驱动电路,能够显著提升系统的功率密度并降低能量损耗。其封装形式紧凑,适合需要高性能和小尺寸解决方案的应用场景。
CBW322513U301T 在设计上注重热性能优化,并且内置多重保护功能,包括过流保护、过温保护以及短路保护等,从而确保在各种复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
型号:CBW322513U301T
类型:GaN 功率晶体管
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:15A
导通电阻:16mΩ
栅极电荷:95nC
开关频率:高达 4MHz
封装形式:TO-252
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
存储温度范围:-55℃ 至 +175℃
CBW322513U301T 的主要特性包括:
1. 高效的氮化镓技术,使得器件能够在高频下运行同时保持低损耗。
2. 内置驱动器,减少了外部元件数量并简化了设计流程。
3. 具备快速开关能力,支持高达 4MHz 的开关频率,适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
4. 小型封装设计(TO-252),有助于节省 PCB 空间。
5. 提供全面的保护机制,如过流、过温及短路保护,增强系统可靠性。
6. 支持宽范围的工作温度,适应多种工业和消费类应用场景。
这些特性使 CBW322513U301T 成为现代电源管理系统中的理想选择,特别适合追求高性能与小型化的应用需求。
CBW322513U301T 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)设计,用于提高效率和减小体积。
2. USB-PD 快充适配器,满足更高功率密度的要求。
3. 数据中心电源供应单元(PSU),提供更高的能效表现。
4. 电动汽车充电设备,例如车载充电器(OBC)或充电桩。
5. 工业级电机驱动和逆变器控制。
6. LED 驱动器,实现更精确的电流调节。
这款芯片因其优异的性能和多功能性,在众多对功率转换效率有严格要求的场合中表现出色。
CBW322513U302T, CBW322513U303T