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1N3879 发布时间 时间:2025/12/26 20:40:39 查看 阅读:9

1N3879是一款早期的硅整流二极管,广泛应用于20世纪中后期的电子设备中。该器件属于通用整流类二极管,主要设计用于将交流电(AC)转换为直流电(DC),适用于电源整流、信号检测和一般开关电路等场景。1N3879采用金属封装,通常为DO-5或类似的小型轴向引线封装形式,具有良好的热稳定性和机械强度。作为一款非稳压、非高速的整流器件,1N3879在当时的工业控制、通信设备、消费类电子产品中均有应用。随着半导体技术的发展,这类早期型号逐渐被性能更优、成本更低、封装更小的新型号所取代,例如1N400x系列二极管。尽管如此,在维修老旧设备或进行历史产品复刻时,了解1N3879的技术参数与特性仍然具有重要意义。由于该型号已较为罕见,目前在主流元器件市场中难以找到原厂新品,多见于库存件或二手市场。其电气性能与可靠性虽能满足基本整流需求,但在反向恢复时间、最大浪涌电流和温度特性方面与现代器件相比存在一定差距。因此,在实际替代设计中,通常推荐使用更为通用且易获取的后续型号以确保系统长期运行的稳定性与可维护性。
  需要注意的是,不同制造商生产的1N3879可能在具体参数上略有差异,尤其是在额定电压、正向压降和最大平均整流电流等方面。因此,在选用此类老型号时应参考原始数据手册,并结合实际工作条件进行评估。此外,由于缺乏统一的现代标准认证(如RoHS),在新设计中不建议采用1N3879,而应在满足功能要求的前提下选择符合当前环保与安全规范的替代品。

参数

类型:硅整流二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):1000 V
  最大RMS电压(VRMS):700 V
  最大直流阻断电压(VDC):1000 V
  最大平均整流电流(IO):1.0 A
  峰值浪涌电流(IFSM):30 A(单个半波)
  最大正向压降(VF):1.1 V @ 1.0 A
  最大反向漏电流(IR):5 μA @ 1000 V(典型值)
  工作结温范围(TJ):-65 °C 至 +200 °C
  存储温度范围(TSTG):-65 °C 至 +200 °C
  封装形式:DO-5(金属玻璃封装)
  引脚数量:2
  热阻(RθJA):约 50 °C/W(依安装条件而定)

特性

1N3879作为一款经典的硅基整流二极管,具备较高的反向耐压能力和稳定的整流性能,适用于多种基础电力转换场合。其最显著的特性之一是高达1000V的重复峰值反向电压(VRRM),这使得它能够在高压环境中可靠工作,例如在电源变压器次级侧进行全波或桥式整流时有效阻断反向电压,防止电流倒灌损坏前级电路。该器件的最大平均整流电流为1A,意味着它可以持续传输1安培的直流电流而不会因过热导致性能下降或失效,这一水平足以支持中小功率设备的供电需求,如音响放大器、小型电机驱动器和工业仪表电源模块等。
  另一个关键特性是其良好的热稳定性。1N3879的工作结温范围宽达-65°C至+200°C,表明其可在极端高低温环境下保持正常功能,适合用于工业、军事或航空航天等对环境适应性要求较高的领域。同时,其金属封装不仅提供了优良的散热路径,还增强了机械强度和抗电磁干扰能力,有助于提升系统整体的可靠性。虽然其正向压降略高(典型值1.1V@1A),导致导通损耗相对较大,但在低频整流应用中影响有限。
  该二极管的反向恢复时间未在多数公开资料中明确标注,推测其属于标准恢复类型,不适合高频开关应用(如SMPS)。然而,对于50/60Hz工频整流而言,这种延迟并不构成问题。此外,其峰值浪涌电流可达30A,说明其具备较强的瞬态过载承受能力,能够抵御启动瞬间的冲击电流,如电容充电或冷态灯丝电流,从而延长使用寿命。总体来看,1N3879是一款结构简单、耐用性强、适用范围广的基础半导体器件,代表了早期硅整流技术的成熟水平。

应用

1N3879主要用于各类需要高压整流功能的电子系统中,尤其常见于上世纪60年代至80年代的工业控制设备、通信装置、测试仪器以及家用电器电源部分。其典型应用场景包括交流到直流的电源转换电路,例如在分立式桥式整流器中作为四个桥臂中的一个单元使用,配合滤波电容和平滑电感实现稳定的直流输出。由于其1000V的高反向耐压能力,特别适用于输入电压较高的场合,如接入市电(110V或220V RMS)后的整流环节,即使在电压波动较大的电网条件下也能保持安全运行。
  在工业自动化系统中,1N3879可用于继电器驱动电路、电磁阀控制电源或PLC模块内部的辅助电源整流部分,提供隔离且稳定的直流电压供逻辑电路使用。此外,在老式无线电接收机、广播发射机和电话交换设备中,该二极管也常被用于信号检波和电源整流双重功能,因其良好的高频响应特性和较低的漏电流表现而受到青睐。
  由于其金属封装具有较好的密封性和抗腐蚀能力,1N3879也曾应用于一些恶劣环境下的户外设备,如交通信号控制系统、远程监控终端和航海通信装置等。在维修和维护这些老旧系统时,若原设计采用1N3879,技术人员需注意其电气参数匹配性,并考虑是否可用现代等效型号替换以提高可获得性和长期可靠性。尽管目前已不再广泛生产,但在复古设备修复、博物馆展品维护或特定军工项目延寿工程中,仍可能遇到对该型号的需求。因此,掌握其应用背景和技术特点对于电子工程师特别是从事逆向工程或设备延寿工作的人员来说仍具实用价值。

替代型号

1N4007
  1N1132
  1N1196
  VS-1N3879-M3

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1N3879参数

  • 数据列表1N3879(R),89(R) and 6/12/16FL(R) Series
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)50V
  • 电流 - 平均整流 (Io)6A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.4V @ 6A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)300ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电15µA @ 50V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-203AA,DO-4,接线柱
  • 供应商设备封装DO-203AA
  • 包装散装
  • 其它名称*1N3879