时间：2025/12/28 21:12:10
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GM1GC55310AC是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具备低导通电阻（RDS(ON)）、高效率和良好的热稳定性。它广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效功率控制的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：最大22mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：43nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220、D2PAK等
GM1GC55310AC具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽结构，提高了电流密度并优化了开关性能。其高耐压能力（100V）使其适用于多种中高压功率转换应用。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而提升整体系统效率。该MOSFET还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。
GM1GC55310AC的封装形式（如TO-220或D2PAK）提供了良好的散热性能，便于在高功率密度设计中使用。其高可靠性和耐用性使其成为工业电源、电动汽车充电设备、储能系统、服务器电源和电信设备中理想的功率开关器件。此外，由于其优异的电气性能和热管理能力，该器件还可用于同步整流、马达驱动和功率因数校正（PFC）电路等应用。
该器件适用于多种功率电子系统，包括但不限于：DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、服务器电源、通信电源、电池管理系统（BMS）、电动车充电模块、马达驱动器、负载开关、光伏逆变器和储能系统中的功率控制电路。
SiHF55N10-T-E3-AY、IPB08N10N G、FDPF55N10、IRF55N10
