类型：硅整流二极管
　　最大平均整流电流：1.0A
　　最大反向电压：50V
　　峰值正向浪涌电流：30A
　　正向压降：1.1V（最大值，IF=1A）
　　反向漏电流：5uA（最大值，VR=50V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：DO-41（轴向引线封装）

1N3311RBE3 是一款性能稳定、应用广泛的整流二极管。其主要特性包括高浪涌电流承受能力、较低的正向压降以及良好的温度稳定性。该器件在1A电流下的正向压降最大为1.1V，使得在整流过程中能量损耗较低，提高了电源效率。此外，该二极管可承受高达30A的峰值浪涌电流，适用于电源启动或负载突变等瞬态工况。
　　该器件的反向漏电流极低，最大仅为5uA，在高温工作环境下仍能保持良好的绝缘性能。其工作温度范围为-55℃至+175℃，适用于各种严苛环境下的电子系统。DO-41封装形式具备良好的散热性能和机械强度，便于手工焊接和自动化生产。
　　1N3311RBE3 符合RoHS环保标准，无铅封装设计，适用于现代电子产品中对环保要求较高的应用场景。其广泛用于AC/DC电源适配器、DC/DC转换器、电池充电器、继电器驱动电路以及电机控制电路中的续流和反向保护。

1N3311RBE3 主要用于中低功率电源系统中，如开关电源、整流桥、电池充电器、DC/DC转换器、UPS不间断电源等。此外，它也适用于继电器、接触器、电磁阀等电感性负载的续流保护电路。该器件还被广泛应用于工业控制设备、消费电子产品、通信设备、汽车电子等领域。

1N4004、1N5400、1N3312RBE3