1N1200C是一种常见的硅整流二极管,广泛用于电源整流电路中。作为一款通用整流器件,1N1200C具备较高的反向电压耐受能力和良好的导通性能,适用于中低功率的电源转换场合。其封装形式通常为TO-220或类似的大功率塑料封装,有助于在工作过程中有效散热。
类型:硅整流二极管
最大平均整流电流(Io):5A
最大反向重复峰值电压(VRRM):50V
正向压降(VF):约1.1V(在5A时)
最大反向漏电流(IR):≤ 5μA(在额定电压下)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
存储温度范围:-65°C ~ +175°C
封装形式:TO-220AB或类似
1N1200C采用单管结构,具有较高的反向电压阻断能力和良好的正向导通特性。其硅材料结构确保了在较高温度环境下仍能保持稳定工作。
该器件的正向压降较低,在5A电流下通常为1.1V左右,有助于降低功率损耗并提高整流效率。
由于其封装设计具备良好的散热能力,1N1200C适用于中高功率整流应用,例如开关电源、AC-DC转换器、电机驱动电路等。
此外,该二极管具有较高的可靠性和较长的使用寿命,适合工业级和消费类电子设备的使用要求。
1N1200C常用于各类电源整流电路中,包括但不限于开关电源、线性电源、AC-DC转换器以及直流电机驱动电路。
它也适用于需要高可靠性和稳定整流性能的工业控制设备、LED照明电源、充电器及电池管理系统。
在一些需要较高反向电压阻断能力的应用中,如逆变器和不间断电源(UPS)系统,1N1200C也能发挥良好的整流作用。
此外,该器件也常用于桥式整流电路中的单个桥臂,以实现高效的交流-直流转换。
1N1204C
1N1208C
1N5408
BYV26C
SB550