您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7 发布时间 时间:2025/8/2 6:25:25 查看 阅读:27

DMN2011UFDF-7 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型化封装技术,适用于高密度电路设计。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热性能而著称,广泛应用于电源管理、电池供电设备以及负载开关等场景。

参数

类型:P 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流(ID):-6A
  最大漏源电压(VDS):-20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  导通电阻(RDS(ON)):33mΩ(典型值,VGS = -4.5V)
  功率耗散(PD):2.1W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:DFN2011(双扁平无引脚封装)
  安装类型:表面贴装

特性

DMN2011UFDF-7 具备多项优异特性,使其在各类电子应用中表现出色。首先,该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,显著降低了导通电阻 RDS(ON),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。在 VGS = -4.5V 的条件下,RDS(ON) 的典型值仅为 33mΩ,非常适合对效率要求较高的电源管理系统。
  其次,该 MOSFET 的最大漏极电流为 -6A,漏源电压额定值为 -20V,适用于多种中低功率应用。其栅源电压范围为 ±12V,具有较强的抗过压能力,确保在复杂工作环境下的稳定性。

应用

DMN2011UFDF-7 主要用于需要高效能、小尺寸封装的电源管理和负载开关应用。例如,在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中,它可作为电池供电系统的负载开关,实现快速响应和低功耗控制。在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可用于同步整流,提高转换效率并减少热量产生。

替代型号

AO4403, Si2305DS, FDC6303, DMN2012UFDF-7

DMN2011UFDF-7推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DMN2011UFDF-7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥1.35853卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.5 毫欧 @ 7A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)56 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2248 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装U-DFN2020-6(F 类)
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘