DMN2011UFDF-7 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型化封装技术,适用于高密度电路设计。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热性能而著称,广泛应用于电源管理、电池供电设备以及负载开关等场景。
类型:P 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(ID):-6A
最大漏源电压(VDS):-20V
最大栅源电压(VGS):±12V
导通电阻(RDS(ON)):33mΩ(典型值,VGS = -4.5V)
功率耗散(PD):2.1W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:DFN2011(双扁平无引脚封装)
安装类型:表面贴装
DMN2011UFDF-7 具备多项优异特性,使其在各类电子应用中表现出色。首先,该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,显著降低了导通电阻 RDS(ON),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。在 VGS = -4.5V 的条件下,RDS(ON) 的典型值仅为 33mΩ,非常适合对效率要求较高的电源管理系统。
其次,该 MOSFET 的最大漏极电流为 -6A,漏源电压额定值为 -20V,适用于多种中低功率应用。其栅源电压范围为 ±12V,具有较强的抗过压能力,确保在复杂工作环境下的稳定性。
DMN2011UFDF-7 主要用于需要高效能、小尺寸封装的电源管理和负载开关应用。例如,在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中,它可作为电池供电系统的负载开关,实现快速响应和低功耗控制。在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可用于同步整流,提高转换效率并减少热量产生。
AO4403, Si2305DS, FDC6303, DMN2012UFDF-7