类型：硅整流二极管
　　最大平均整流电流：1A
　　峰值重复反向电压：50V
　　非重复峰值浪涌电流：30A
　　正向压降（IF=1A）：1.1V 典型值
　　反向漏电流（最大）：5μA @ 额定VR
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：DO-7 或类似轴向引线金属/玻璃封装
　　热阻（结到环境）：约 100°C/W

1N1190A作为一款经典的硅整流二极管，具备优异的热稳定性和长期可靠性。其核心特性之一是在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，这得益于其采用高纯度硅材料和坚固的金属或玻璃封装结构。这种封装不仅提供了良好的机械强度，还能有效防止湿气和污染物侵入，从而提升器件在恶劣环境下的使用寿命。该二极管的最大平均整流电流为1A，能够在连续负载条件下稳定运行，同时可承受高达30A的非重复浪涌电流，使其在开机瞬间面对大电流冲击时具备较强的耐受能力，适用于带变压器的电源系统。
　　另一个重要特性是其较高的反向击穿电压——50V的峰值重复反向电压使其适用于低电压整流场景，例如12V或24V交流转直流的应用。虽然与现代高压整流管相比此数值偏低，但在当时的设计标准下已能满足多数低压电源需求。此外，其正向导通压降在1A电流下典型值为1.1V，略高于现代肖特基二极管，但远低于锗二极管，体现了硅材料在效率上的优势。反向漏电流极低，最大仅为5μA，表明其在截止状态下的绝缘性能优良，有助于减少待机功耗和漏电损耗。
　　该器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，说明其可在极端高低温环境中正常工作，特别适合航空、航天及军用电子设备对温度适应性的严苛要求。热阻约为100°C/W，意味着在无额外散热条件下，每消耗1W功率，结温将上升约100°C，因此在高负载应用中需注意通风或加装散热措施。总体而言，1N1190A以其坚固耐用、稳定性强的特点，在当时的整流器件中占据重要地位，并为后续整流二极管的发展奠定了基础。

1N1190A主要用于低频电源整流电路中，常见于20世纪中期的工业控制设备、通信设备电源模块以及测试仪器中。它被广泛应用于桥式整流器或半波整流电路中，配合工频变压器将市电或次级交流电压转换为脉动直流电压，再经滤波和稳压后供给电子线路使用。由于其具备1A的额定整流电流和50V的反向耐压，适用于12V、24V等低压直流电源系统的构建，例如老式电话交换机、无线电收发装置和自动化继电器控制系统。
　　在军事和航空航天领域，1N1190A因其符合MIL-SPEC标准而被用于高可靠性电源系统中，确保在极端环境条件下仍能稳定工作。此外，该器件也常用于维修和替换 vintage 电子设备，如古董收音机、示波器、电源供应器等，以维持原始设计的兼容性和真实性。尽管现代设计更多采用1N4001或1N4007等标准化、低成本且性能更优的替代品，但在无法获取原始型号或需要满足特定认证要求的情况下，1N1190A仍具实际应用价值。此外，由于其较大的物理尺寸和金属封装，有时也被用于教学演示或电子爱好者实验中，帮助理解早期半导体器件的结构与工作原理。

1N4001
　　1N4002
　　MUR1100