1N1189R 是一种常见的硅整流二极管,广泛用于电源整流电路中。该器件具有较高的反向耐压能力和较大的额定整流电流,适用于工业电源、开关电源和整流模块等应用。1N1189R 采用TO-3金属封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合高功率应用场景。
类型:硅整流二极管
最大平均整流电流:35A
最大反向峰值电压:50V
正向压降:1.1V(最大值)
反向漏电流:10μA(最大值)
工作温度范围:-65°C 至 +175°C
封装形式:TO-3
1N1189R 整流二极管具备优异的电气性能和稳定性,适用于高电流、高电压的整流场合。其最大平均整流电流为35A,能够在较高负载条件下稳定工作。该器件的反向峰值电压为50V,能够承受一定范围内的电压波动,从而提高系统的可靠性。正向压降最大为1.1V,在大电流工作条件下具有较低的功率损耗,有助于提高电源效率。反向漏电流在常温下不超过10μA,确保在高阻断状态下保持较低的能耗。
该器件采用TO-3金属封装,具有良好的散热性能和机械强度,适用于工业级应用环境。其工作温度范围为-65°C至+175°C,适应性广泛,可在高温和低温条件下稳定运行。此外,1N1189R 还具备较高的热稳定性和抗浪涌能力,能够承受短时间内的过载电流冲击,适用于要求较高可靠性的电源系统。
1N1189R 常用于各类电源整流电路中,特别是在需要高电流和较高反向耐压的场合。例如,该器件可应用于工业电源、开关电源、不间断电源(UPS)、直流电源模块、焊接设备和电机驱动系统等。由于其具备较大的额定电流和较高的热稳定性,1N1189R 也常用于需要稳定整流和较高可靠性的大功率电子设备中。此外,该二极管还可用于电池充电器、电镀电源和逆变器等应用,以实现高效的能量转换和稳定的电气性能。
1N1189, 1N1188R, 1N5408