类型：硅整流二极管
　　封装形式：DO-41（轴向引线玻璃钝化封装）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：5000 V
　　最大直流阻断电压（VRWM）：5000 V
　　最大有效值电压（VRMS）：3535 V
　　最大平均整流电流（IO）：1.0 A
　　正向压降（VF）：典型值1.5 V（在1.0 A条件下）
　　最大峰值浪涌电流（IFSM）：30 A（单个半正弦波，8.3 ms）
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA（在额定温度下）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJA）：约150 °C/W（自由空气环境）

1N1186R的核心特性之一是其高达5000V的重复峰值反向电压能力，这使得它非常适合于高电压应用环境，如高压电源模块、X射线发生器、静电除尘系统及大功率逆变装置。在这些系统中，二极管必须承受极端的电压应力而不会发生雪崩击穿或漏电流剧增现象，1N1186R凭借其优化的PN结结构和玻璃钝化工艺，确保了在高反压条件下的长期稳定性与安全性。
　　另一个关键特性是其1.0A的平均整流电流承载能力。虽然相较于一些大电流整流桥而言不算突出，但对于中等功率级别的离散式整流需求来说已足够使用，并且在自然对流散热条件下即可满足大多数应用场景的需求。该器件能在瞬态过载情况下承受高达30A的峰值浪涌电流，这种短时耐受能力显著提升了系统的抗干扰能力和可靠性，尤其是在电网波动或负载突变的情况下。
　　热性能方面，1N1186R的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表现出优异的高低温适应性。这一特性使其可在严苛的工业环境或户外设备中稳定运行，不受季节变化或局部温升的影响。同时，其低反向漏电流（最大5μA）保证了在高温状态下仍能维持较低的静态功耗和较高的整流效率，避免因漏电导致的能量损耗或误动作问题。
　　封装上采用标准DO-41玻璃体封装，不仅体积小巧、易于安装，而且具备良好的机械强度和绝缘性能。玻璃钝化技术增强了表面抗污染和防潮能力，提高了器件在潮湿或粉尘较多环境中的使用寿命。此外，该封装形式与自动插件机兼容，适合大规模自动化生产，有助于降低制造成本并提升装配一致性。

1N1186R主要应用于需要高电压整流能力的电力电子系统中。典型用途包括高压直流电源的整流环节，例如用于激光设备、医疗成像系统（如CT扫描仪）和工业检测仪器中的高压发生电路。在这些设备中，交流输入需通过整流二极管转换为高压直流以驱动特定负载，1N1186R因其高耐压特性成为理想选择。
　　在不间断电源（UPS）和逆变电源系统中，该二极管可用于输入级的整流桥臂或辅助电源的高压侧整流部分，承担将市电转换为直流的任务。即使在电压波动较大的地区，其高VRRM值也能保障系统安全运行。
　　此外，1N1186R也常见于电焊机、电镀电源和电解设备等工业电源装置中，这些设备通常要求整流元件具备较强的抗浪涌能力和长时间连续工作的稳定性。该二极管能够有效应对启动瞬间的大电流冲击，并在持续导通状态下保持低热损耗。
　　在消费类高端产品中，如大功率LED驱动电源或老式CRT显示器的行输出电路中，也可能用到此类高压整流二极管。尽管现代设计更多采用集成化方案，但在维修替换或定制化设计中，1N1186R仍具有不可替代的地位。
　　由于其标准化参数和广泛供货渠道，该型号还常被用作教学实验、科研项目和原型开发中的基础元器件，帮助工程师验证高压电路拓扑结构的可行性。

1N4007
　　1N5399
　　1N5408