您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 1EBN1001AE

1EBN1001AE 发布时间 时间:2024/3/28 17:03:08 查看 阅读:240

1EBN1001AE是一款IGBT/MOSFET栅极驱动器放大器,专为10kW以上的汽车电机驱动而设计。1EBN1001AE基于高性能双极技术,旨在取代基于分立器件的缓冲级。由于其热优化的外露焊盘封装,1EBN1001AE能够驱动和吸收敢达15 A的峰值电流。这使得该设备适用于汽车应用中的大多数逆变器系统。除了基本的栅极驱动功能外,1EBN1001AE还支持高级功能,例如具有快速反应时间的有源箝位(带外部二极管)。也可以通过外部信号抑制有源箝位功能。为了简化有源短路(ASC)策略的实施,并使该设备适用于安全相关系统,达到ASIL D(根据IEC 61508和ISO 26262),还实施了其他功能。1EBN1001AE可与Infineon的第二代栅极驱动器IC(如1EDI200xAS“EiceSIL”)最佳配合使用。

基础介绍

  厂商型号:1EBN1001AE

  品牌名称:Infineon(英飞凌)

  元件类别:栅极驱动IC

  封装规格:SOIC-14_150mil

  型号介绍:10.5 V UVLO功能

特点

  ●单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器升压器

  ●适用于高达 650 V/800A 和 1200 V/400A 的 IGBT 等级

  ●低传播延迟和最小 PWM 失真

  ●单独的开启和关闭信号路径

  ●支持负关闭偏差

  ●14 引脚 PG-DSO-14 散热焊盘环保封装

  ●通过 AEC-Q100 认证

应用领域

  ●混合动力汽车/电动汽车((H)EV)应用

  ●商用、工程和农用车辆(CAV)

  ●电机控制和驱动

中文参数

商品分类栅极驱动IC品牌Infineon(英飞凌)
封装PG-DSO-8-66

原理图

1ED3121MU12HXUMA1原理图

1ED3121MU12HXUMA1原理图

引脚

1ED3121MU12HXUMA1原理图

1ED3121MU12HXUMA1引脚图

封装

1ED3121MU12HXUMA1封装图

1ED3121MU12HXUMA1封装

1EBN1001AE推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

1EBN1001AE图片

1EBN1001AE