552G02ILNT 是一款高性能的贴片式陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该元器件具有低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻),能够提供稳定的电容值和优秀的频率响应特性。它广泛应用于电源滤波、信号耦合、去耦以及射频电路等领域。此外,其小型化设计使其非常适合现代高密度电路板布局。
类型:多层陶瓷电容器
封装:0805
电容值:2.2nF
额定电压:50V
耐压范围:-55℃ 至 +125℃
公差:±10%
介质材料:C0G/NP0
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:2.0mm x 1.25mm
552G02ILNT 使用 C0G 类型的介质材料,因此具备出色的温度稳定性和极低的电容漂移特性。其高频性能优越,能够在高频条件下保持较低的阻抗。同时,由于其采用表面贴装技术(SMD),安装便捷且可靠性高,非常适合自动化生产环境。
此外,该电容器具有非常高的绝缘电阻,从而减少了漏电流对电路的影响。它的无铅设计也符合 RoHS 环保标准,满足全球环保法规要求。
552G02ILNT 主要应用于各种电子设备中的高频和低噪声电路,例如:
1. 高速数字电路中的电源去耦
2. 射频模块中的信号耦合与滤波
3. 模拟电路中的旁路电容
4. 数据通信设备中的滤波网络
5. 工业控制系统的电源滤波电路
6. 医疗设备中的高频信号处理电路
7. 消费类电子产品中的音频和视频电路
这款电容器凭借其优异的性能,特别适合需要高稳定性和低损耗的应用场景。
552G02ILMT, 552G02ILNT-R, GRM155C80J220JA01D