型号：19N10VL-TN3-R
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID) @25°C：19A
　　脉冲漏极电流(IDM)：76A
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=10V：8.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=4.5V：11mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=2.5V：16mΩ
　　栅极阈值电压(VGS(th))：典型值1.7V，范围1.0~2.3V
　　输入电容(Ciss)：典型值1200pF
　　输出电容(Coss)：典型值150pF
　　反向恢复时间(trr)：典型值25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN3x3-8L 或 PowerDI3333
　　安装方式：表面贴装(SMT)

19N10VL-TN3-R采用AOS成熟的TrenchFET?技术制造，实现了超低导通电阻与高电流承载能力的完美结合。其RDS(on)在VGS=10V时仅为8.5mΩ，在同类100V N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了大电流应用下的功率损耗和发热。更重要的是，该器件支持低至2.5V的栅极驱动电压，在4.5V驱动下RDS(on)仍可保持在11mΩ以内，使其能够与现代低电压逻辑IC（如MCU、DSP、FPGA等）无缝对接，无需电平转换或专用驱动芯片，极大提升了设计灵活性。
　　该MOSFET具备优异的开关性能，输入电容Ciss仅为1200pF左右，有助于减少驱动电路的功耗和延迟，提高系统响应速度。同时，其输出电容Coss较低，有助于降低开关过程中的能量损耗，提升DC-DC变换器等高频应用的效率。反向恢复时间trr短至25ns，表明体二极管具有快速恢复特性，减少了在桥式或续流应用中产生的反向恢复电荷和尖峰电压，提高了系统的可靠性和EMI表现。
　　热性能方面，19N10VL-TN3-R采用高散热效率的DFN或PowerDI封装，底部带有裸露焊盘，可通过PCB敷铜有效导出热量，实现良好的热管理。在充分散热条件下，其可长时间承载19A连续电流，短时脉冲电流可达76A，适用于瞬态负载较大的应用场景。器件还具备优良的抗雪崩能力，能够在电源突变或感性负载断开时承受一定的过压冲击，增强了系统鲁棒性。
　　此外，该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性认证（视具体批次而定），具备高抗湿性、耐焊接热循环能力强等特点，适用于严苛的工业与车载环境。所有材料均符合RoHS和无卤素要求，支持绿色制造。AOS提供的详细数据手册包含安全工作区（SOA）、热阻曲线、开关波形等关键信息，便于工程师进行精确的热设计与电气仿真。

19N10VL-TN3-R凭借其高效率、小尺寸和逻辑电平驱动优势，广泛应用于多种电力电子系统中。在DC-DC转换器领域，常用于同步整流拓扑中作为下管或上管，尤其在12V/24V转5V/3.3V的降压变换器中表现出色，可显著提升转换效率并减小散热面积。在负载开关应用中，该器件可用于控制电源路径通断，实现多路供电管理、热插拔保护或电池切换功能，得益于其低静态功耗和快速响应能力，系统待机功耗得以有效降低。
　　在电机驱动方面，19N10VL-TN3-R可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或全桥开关元件，其低RDS(on)减少了发热，延长了设备使用寿命。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可作为充放电控制开关，配合保护IC实现过流、过压、短路等多重保护机制，保障锂电池组的安全运行。
　　此外，该器件也常见于各类便携式电子产品中，如移动电源、无线充电器、智能家电控制板、LED驱动模块等，适用于需要高效能、小体积功率开关的场合。在工业自动化设备、通信电源模块及消费类电源适配器中，19N10VL-TN3-R同样发挥着重要作用。其SMT封装形式支持自动化贴片生产，有利于大规模制造，提升产品一致性与良率。

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　　 "AOZ19N100L",
　　 "SISS10DN,",
　　 "FDS6680A",
　　 "IPB016N10N3"
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