类型：离线式反激变换器
　　集成MOSFET：190N65C3 MOSFET（650V，19A）
　　最大输出功率：约135W（不带散热片）
　　工作频率：66kHz
　　启动电压：典型值为50V
　　工作电压范围：85VAC - 265VAC
　　效率等级：符合Energy Star和CoC Tier 2标准
　　封装形式：DIP-7C

190N65G芯片采用了Power Integrations的EcoSmart?技术，能够在各种负载条件下保持极高的能效，减少空载和待机功耗，显著降低整体能耗。其内置的650V MOSFET具有非常低的导通电阻和开关损耗，从而提高了系统的整体效率和可靠性。此外，该芯片支持频率调制和软开关技术，有助于降低电磁干扰（EMI），减少外围元件数量，简化电路设计。
　　在保护功能方面，190N65G具备全面的安全机制，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、输入欠压保护（UV）以及自动重试功能。这些保护机制可以有效防止因异常工作条件导致的器件损坏，提高电源系统的稳定性。
　　该芯片还具备良好的动态响应能力，能够快速适应负载变化，确保输出电压稳定可靠。其采用的简单易用的设计结构，使得工程师能够轻松实现高效、低成本的电源解决方案。此外，190N65G支持无Y电容设计，进一步提升了系统的安全性并减少了电磁干扰。

190N65G广泛应用于各种中小功率的开关电源设计中，例如电源适配器、充电器、智能电表、LED驱动电源、工业控制电源以及家电电源模块。其高集成度和良好的能效表现也使其适用于对能效要求较高的绿色能源产品和环保型电子产品设计。由于其具备优异的EMI性能和多种保护机制，190N65G也常用于需要高可靠性的工业和通信设备中。

LNK6766, TNY278, TOP246N, UC3842, NCP1350