类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：190A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约10毫欧（具体值根据厂商不同可能略有差异）
　　功率耗散（Pd）：约300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

190N65具有多项显著的技术特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高耐压能力（650V）允许在高压电路中使用，适合于电源转换器、电机控制器和电源管理模块。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下较低的功率损耗，从而提高了整体系统的能效。
　　190N65的封装形式具有良好的热性能，能够快速散热，从而延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。TO-247和TO-263封装也便于安装和散热器的连接，适用于高功率密度的设计。
　　此外，190N65具备较高的栅极驱动兼容性，可在较宽的栅源电压范围内稳定工作。其快速开关能力降低了开关损耗，适用于高频操作环境。这种MOSFET还具有过热和过流保护特性，能够有效防止因异常工作条件导致的器件损坏，提高系统的可靠性。
　　在高频应用中，190N65的开关特性尤为重要。其快速导通和关断能力降低了开关损耗，提高了转换效率。这使得它在开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器和逆变器等应用中表现优异。同时，该器件的稳定性和耐用性也使其成为工业自动化、电动汽车和可再生能源系统中的理想选择。

190N65广泛应用于多种高功率和高电压场景。常见的应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、直流-直流转换器、逆变器、UPS系统以及电动汽车充电设备。此外，该器件也常用于工业自动化控制系统和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的功率转换模块。由于其高可靠性和高效率，190N65在电源管理和能量转换领域备受青睐。

IXFH190N65X2, STY190N65M5, FCH190N65S3