您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 190N65

190N65 发布时间 时间:2025/7/22 12:29:32 查看 阅读:5

190N65是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和电机驱动等高功率场景。该器件采用先进的平面工艺技术,具有低导通电阻和高耐压能力,可提供高效的电能转换和稳定的性能。190N65的封装形式通常为TO-247或TO-263,适用于各种工业和消费类应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id):190A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):约10毫欧(具体值根据厂商不同可能略有差异)
  功率耗散(Pd):约300W
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

190N65具有多项显著的技术特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其高耐压能力(650V)允许在高压电路中使用,适合于电源转换器、电机控制器和电源管理模块。其次,该器件的低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流下较低的功率损耗,从而提高了整体系统的能效。
  190N65的封装形式具有良好的热性能,能够快速散热,从而延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。TO-247和TO-263封装也便于安装和散热器的连接,适用于高功率密度的设计。
  此外,190N65具备较高的栅极驱动兼容性,可在较宽的栅源电压范围内稳定工作。其快速开关能力降低了开关损耗,适用于高频操作环境。这种MOSFET还具有过热和过流保护特性,能够有效防止因异常工作条件导致的器件损坏,提高系统的可靠性。
  在高频应用中,190N65的开关特性尤为重要。其快速导通和关断能力降低了开关损耗,提高了转换效率。这使得它在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器和逆变器等应用中表现优异。同时,该器件的稳定性和耐用性也使其成为工业自动化、电动汽车和可再生能源系统中的理想选择。

应用

190N65广泛应用于多种高功率和高电压场景。常见的应用包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、直流-直流转换器、逆变器、UPS系统以及电动汽车充电设备。此外,该器件也常用于工业自动化控制系统和可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率转换模块。由于其高可靠性和高效率,190N65在电源管理和能量转换领域备受青睐。

替代型号

IXFH190N65X2, STY190N65M5, FCH190N65S3