时间：2025/5/9 10:09:55
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19-237/R6GHBHC-A01/2T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关速度，适用于工业、消费电子以及汽车领域的多种场景。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式通常为 TO-252 或 DPAK 封装（具体取决于制造商）。由于其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块以及其他需要高效功率转换的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
栅极电荷(Qg)：25nC
开关时间：开启延迟时间(t_d(on))=11ns，上升时间(t_r)=8ns，关断延迟时间(t_d(off))=27ns，下降时间(t_f)=15ns
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关性能，适合高频开关应用。
3. 高电流承载能力，支持高达 30A 的连续漏极电流。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣环境下的稳定运行。
5. 紧凑的封装形式，便于 PCB 布局和散热设计。
6. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适用于极端条件下的应用场景。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池保护和充电管理。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统，如车载逆变器、LED 驱动等。
6. 各类负载开关和保护电路。
7. 高效能源管理系统中的关键组件。
IRF540N
STP30NF06L
FDP5500
AO3400
