时间：2025/6/14 10:48:25
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19-213/G6W-FN1P1B/3T 是一种高精度的薄膜片式电阻器，采用无铅封装技术设计。该元器件具备出色的稳定性和可靠性，适用于对阻值精度和温度特性有较高要求的电路环境。其薄膜工艺保证了低噪声、低温度系数和高频率稳定性。
型号：19-213/G6W-FN1P1B/3T
阻值：1.1Ω
公差：±0.1%
额定功率：0.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
温度系数：±10ppm/℃
封装形式：3-Terminal Chip
ESD耐受能力：2kV
该电阻器使用了先进的薄膜沉积技术，从而实现了极其稳定的阻值特性，即使在极端温度变化或长期工作条件下也能保持性能一致性。
其三端子结构可以有效降低寄生电感效应，非常适合高频应用场合。
此外，19-213/G6W-FN1P1B/3T 的环保无铅设计符合 RoHS 标准，使其能够满足现代电子产品对于绿色环保的要求。
由于采用了高性能材料，这款电阻器具有极低的热电动势和优异的长期负载稳定性。
此电阻器广泛应用于精密测量仪器、医疗设备、通信模块、数据转换电路以及射频（RF）相关产品中。
例如，在电源管理模块中可作为分流电阻，用于精确监控电流；在滤波器网络中则能提供准确的阻抗匹配功能。
另外，它还适用于各种需要高可靠性的工业自动化系统与航空航天领域。
RCF124P1C1R10J9L
CPF0603BR-0R1J
