时间:2025/12/26 20:47:25
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18TQ045SPBF 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的高速、高效率的肖特基势垒二极管阵列,采用共阴极配置,封装形式为 TO-277A(也称为 D-Pak)。该器件专为需要低正向压降和快速开关特性的电源管理应用而设计。TO-277A 封装具有较小的占位面积,适合表面贴装技术(SMT),适用于空间受限的应用场景。该器件符合 RoHS 标准,后缀中的 'PbF' 表示无铅(Lead-Free)版本,有助于环保和现代绿色制造要求。18TQ045SPBF 通常用于直流-直流转换器、电压箝位电路、反向极性保护以及高频整流等场合。其结构设计优化了热性能和电气性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。由于其出色的开关速度和低损耗特性,该器件在便携式电子设备、工业控制系统、通信设备和消费类电子产品中得到广泛应用。此外,该器件具备良好的抗浪涌能力,能够在瞬态电流冲击下维持正常工作,增强了系统的可靠性。
制造商:Vishay Semiconductors
产品系列:18TQ
二极管配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):45V
平均整流电流(Io):1.8A
峰值正向浪涌电流(IFSM):40A
最大正向压降(VF):0.5V @ 1A, 0.55V @ 1.8A
最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 45V
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装/外壳:TO-277A(D-Pak)
安装类型:表面贴装(SMT)
引脚数:3
热阻(RθJA):约 60°C/W
反向恢复时间(trr):典型值小于 5ns
18TQ045SPBF 的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,这种技术利用金属-半导体结代替传统的 PN 结,从而显著降低了正向导通压降,减少了功率损耗,提高了整体系统效率。由于没有少数载流子的存储效应,该器件表现出极快的开关速度,反向恢复时间通常小于 5ns,这使其非常适合用于高频开关电源拓扑结构,如同步降压或升压转换器,在这些应用中,快速的反向恢复特性可以有效减少开关损耗并抑制电磁干扰(EMI)。
该器件的共阴极双二极管配置允许在单个封装内实现两个独立但共享阴极的肖特基二极管,这种结构常用于中心抽头整流电路或作为同步整流中的续流与箝位二极管组合。每个二极管可承载高达 1.8A 的平均整流电流,并能承受高达 40A 的峰值浪涌电流,显示出良好的瞬态耐受能力。其最大反向电压为 45V,适用于低电压直流系统,如 12V 或 24V 电源轨。
TO-277A 封装不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,通过底部焊盘可将热量有效地传导至 PCB 上的铜箔区域,从而提升热管理效率。器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C,可在严苛的环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车级应用。此外,该器件符合 AEC-Q101 汽车级认证标准,表明其在可靠性、寿命和环境适应性方面满足汽车电子的严格要求。无铅化设计也使其兼容现代回流焊接工艺,避免因铅污染带来的环境与健康风险。
18TQ045SPBF 广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子系统中。在直流-直流转换器中,它常被用作输出端的同步整流二极管或续流二极管,尤其在 buck 和 boost 拓扑中,能够显著降低导通损耗,提高转换效率。由于其低正向压降特性,该器件在电池供电设备中尤为重要,有助于延长电池续航时间。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中,18TQ045SPBF 可用于电压调节和电源路径控制。
在工业控制系统中,该器件可用于电机驱动电路中的反电动势箝位,防止高压尖峰损坏开关元件。同时,它也可作为反向极性保护二极管,防止电源接反而导致系统损坏。在通信设备中,例如基站电源或网络交换机,该器件用于高频整流和电压隔离,保障信号完整性与电源稳定性。
此外,18TQ045SPBF 还适用于 LED 驱动电源、USB 充电端口保护电路以及太阳能充电控制器等新兴应用领域。其高可靠性和紧凑封装使其成为现代高密度 PCB 设计的理想选择。在汽车电子系统中,包括车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源单元中,该器件同样发挥着关键作用,尤其是在启停系统和能量回收电路中,对效率和响应速度有较高要求的场景下表现优异。
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