型号：18NM70G
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：70 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：18 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：72 A
　　导通电阻（RDS(on)）max：18 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）max：23 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：2200 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：520 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　二极管正向电流（IS）：18 A
　　功耗（PD）：125 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 ~ +175 °C
　　封装：TO-220 / DPAK

18NM70G采用先进的TrenchMOS工艺技术，这种结构通过在硅片上刻蚀出深沟槽并填充栅极介质和多晶硅来形成垂直导电通道，显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了非常低的RDS(on)值。在VGS = 10V时，其典型导通电阻仅为18mΩ，这使得器件在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，有效减少发热，提高电源系统的整体效率。该特性特别适用于高频率开关应用如同步整流、Buck/Boost变换器等场景，有助于缩小散热器尺寸甚至实现无风扇设计。
　　该器件具备优良的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这意味着它可以在较短时间内完成充放电过程，从而加快开关速度，降低开关损耗。同时，其输入电容和输出电容之间的匹配良好，有助于减少电磁干扰（EMI）并提升系统稳定性。此外，18NM70G内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr ≈ 28ns），减少了在非同步整流应用中的能量损耗和电压尖峰风险，提升了电路的安全性和效率。
　　在可靠性方面，18NM70G经过严格测试，具备高抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下承受一定的能量冲击而不损坏。其最大工作结温可达+175°C，表明其可在高温环境下长期稳定运行，适用于工业自动化设备、车载电源等对环境适应性要求较高的场合。器件还具有良好的dv/dt和di/dt抗扰度，能够抵抗快速变化的电压和电流带来的噪声干扰，防止误触发或闩锁效应的发生。
　　从封装角度看，TO-220或DPAK形式提供了优良的热传导路径，便于将热量传导至散热器或PCB铜箔上。特别是DPAK版本支持表面贴装工艺，适合自动化生产，提高了组装效率和产品一致性。整体而言，18NM70G是一款集高性能、高可靠性和易用性于一体的中压N沟道MOSFET，满足现代电力电子系统对小型化、高效化和智能化的需求。

18NM70G因其优异的电气性能和可靠的封装设计，广泛应用于多种中等功率级别的电力电子系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器使用。在这些拓扑结构中，例如降压（Buck）、升压（Boost）或反激式（Flyback）转换器，18NM70G凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著降低了导通和开关损耗，提高了转换效率，并允许更高的工作频率，从而减小磁性元件的体积和重量，实现更紧凑的电源设计。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保了在频繁启停和负载突变情况下的可靠运行。此外，在电池管理系统（BMS）或便携式设备的电源管理单元中，18NM70G可作为负载开关或保护开关，用于切断异常电流路径，保障系统安全。
　　在新能源应用方面，如太阳能微逆变器、LED驱动电源和电动汽车车载充电器（OBC）辅助电源中，18NM70G也发挥着重要作用。其宽泛的工作温度范围和抗恶劣环境的能力使其能在户外或高温环境中长期稳定运行。同时，在工业控制设备、UPS不间断电源、电动工具和家用电器等产品的功率模块中，该器件也是实现高效能量转换的关键组件之一。总之，18NM70G适用于所有需要高效、快速、可靠地控制中等功率电能的应用场景。

FQP18N70, STP18NM70, IRF18N70}}