时间：2025/12/27 8:52:36
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18NM60G-TQ2-R是一款由安森美（onsemi）生产的高压MOSFET功率晶体管，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的超结（Super Junction）技术制造，能够在600V的高漏源电压下实现极低的导通电阻和优异的开关性能。其型号中的'18N'表示其具有约18A的连续漏极电流能力，'M60'代表600V的漏源击穿电压，'G'通常指器件具有特定的栅极特性或封装类型，'TQ2-R'则表明其采用了TOLL（Thin Small Outline Leadless）封装，并适用于卷带包装，适合自动化贴片生产。该MOSFET广泛应用于服务器电源、电信电源系统、工业电源以及光伏逆变器等高密度、高效率要求的电力电子设备中。得益于其优化的热性能和紧凑的封装设计，18NM60G-TQ2-R在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，是现代高效能SMPS（开关模式电源）设计中的关键元件之一。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：18A
脉冲漏极电流（Idm）：72A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω @ Vgs=10V
栅源阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：2900pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：190pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：25ns
最大功耗（Pd）：200W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：TOLL (TQ2)
安装类型：表面贴装
18NM60G-TQ2-R采用安森美先进的超级结MOSFET工艺，显著降低了导通损耗和开关损耗，使其在高频开关电源中表现出色。其核心优势在于实现了高电压耐受能力与低导通电阻之间的最佳平衡，从而提高了整体电源系统的转换效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为70nC，这减少了驱动电路所需的能量，有助于降低控制芯片的负担并提升系统响应速度。同时，其体二极管具备较短的反向恢复时间（trr），有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的可靠性。
该MOSFET的TOLL封装具有更小的占位面积和更低的热阻（Rth(j-c)），相较于传统的TO-247或D2PAK封装，在相同功率密度下可提供更好的散热性能。封装引脚设计优化了电流路径，减少了寄生电感，有利于提高高频工作的稳定性。此外，器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和高dv/dt耐受性，能够在瞬态过压和负载突变条件下稳定运行。18NM60G-TQ2-R还通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在严苛环境下的长期稳定性得到了验证，因此不仅适用于工业和通信领域，也可用于车载充电机等对可靠性要求极高的应用场景。
18NM60G-TQ2-R广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。典型应用包括：服务器和数据中心的高功率AC-DC电源模块，其中多个MOSFET并联使用以满足大电流需求；通信基站中的DC-DC转换器，利用其快速开关特性实现高效稳压；光伏（PV）逆变器中的DC-AC桥式拓扑，作为主开关器件参与能量转换；工业电机驱动和UPS不间断电源系统中，用于功率因数校正（PFC）升压级电路，提升电网侧电能质量；此外，该器件也适用于高功率LED驱动电源、电动汽车车载充电机（OBC）以及高端消费类电子产品中的高密度适配器。由于其优异的热性能和紧凑封装，特别适合空间受限但散热要求高的应用场景。
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"18N60CGT",
"FCH6020N",
"STF18N60M2",
"IPB60R180CFDA"
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