晶体类型：NPN双极型晶体管
　　配置：双晶体管阵列（两个独立NPN晶体管）
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大功耗：200 mW
　　频率范围：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流和条件变化）
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

S-LBZX84C3V9LT1G的主要特性包括两个独立的NPN晶体管集成在一个封装中，为设计者提供了节省空间的解决方案。这种双晶体管配置非常适合需要多个晶体管的电路，例如多级放大器、逻辑电平转换或驱动电路。由于其高增益特性，S-LBZX84C3V9LT1G可以在低电流条件下提供优异的放大性能，适合电池供电设备和低功耗系统。此外，该器件的封装设计使其具有良好的热稳定性和抗静电能力，确保在复杂环境下的可靠运行。S-LBZX84C3V9LT1G还具有低饱和电压、快速开关响应和高频率响应能力，适用于多种模拟和数字电路应用场景。
　　在制造工艺方面，S-LBZX84C3V9LT1G采用了先进的硅外延平面工艺，提高了晶体管的稳定性和一致性。该器件的电气性能在宽温度范围内保持稳定，适合工业级温度应用（-55°C至+150°C）。另外，S-LBZX84C3V9LT1G符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子产品的环保要求。这使得它成为便携式电子设备、电源管理模块和通用开关应用中的理想选择。

S-LBZX84C3V9LT1G广泛应用于多种电子系统中，例如消费电子产品中的信号放大和逻辑控制、工业设备中的继电器驱动和接口电路、通信设备中的射频放大器和开关控制电路。此外，该器件也常用于传感器接口电路、LED驱动器、继电器驱动、逻辑电平转换等应用。在汽车电子系统中，S-LBZX84C3V9LT1G可用于车载娱乐系统、车身控制模块、照明控制系统等。由于其低功耗特性和小封装形式，该器件在便携式设备和可穿戴设备中也有广泛应用。

PMBT2369, BC847BDSX-7-F