时间：2025/12/27 8:44:19
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18N50-ML是一款由UTC（友顺科技股份有限公司）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效率和高可靠性的电力电子设备中。该器件采用先进的平面条纹式场效应晶体管工艺制造，结合了优良的开关性能与稳健的雪崩能量承受能力，适合在高电压环境下工作。18N50-ML中的“18”代表其漏源电流能力，“N”表示为N沟道类型，“50”指其最大漏源击穿电压为500V，后缀“-ML”通常代表特定封装形式或卷带包装规格，常见于SOT-223或TO-220等封装。该MOSFET设计用于高频开关应用，在低栅极电荷和低导通电阻之间实现了良好平衡，从而降低了开关损耗和导通损耗，提高了系统整体能效。此外，18N50-ML具备良好的热稳定性与抗雪崩能力，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。由于其优异的性价比和可靠性，该型号被广泛用于消费类电源适配器、LED驱动电源、小型电机控制及工业电源模块中。器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。
型号：18N50-ML
极性：N沟道
漏源电压(VDSS)：500V
连续漏极电流(ID)@25℃：18A
脉冲漏极电流(IDM)：72A
栅源电压(VGS)：±30V
导通电阻(RDS(on))@10V VGS：典型值约0.22Ω，最大值约0.26Ω
导通电阻(RDS(on))@5V VGS：不适用（因阈值电压特性，建议使用10V驱动）
阈值电压(VGS(th))@ID=250μA：2.0V ~ 4.0V
输入电容(Ciss)@25℃, VDS=25V：约1100pF
输出电容(Coss)：约350pF
反向传输电容(Crss)：约60pF
开启延迟时间(td(on))：约25ns
关断延迟时间(td(off))：约70ns
功耗(PD)@TA=25℃：约125W
工作结温范围(TJ)：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：常见为TO-220、TO-220F、SOT-223等（具体以厂商规格书为准）
18N50-ML具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于在500V高耐压条件下仍能实现较低的导通电阻，有效降低功率损耗，提升系统效率。该器件采用优化的平面工艺技术，增强了载流子迁移率，同时改善了器件的开关速度与动态响应能力。其RDS(on)在VGS=10V时仅为0.26Ω（最大值），确保在大电流负载下仍具有较小的电压降和发热。该MOSFET具有较高的输入阻抗和极小的栅极驱动电流需求，便于与各类PWM控制器或驱动IC直接接口，简化电路设计。
器件具备良好的抗雪崩能力和重复雪崩额定能量（EAS），在突发过压或感性负载切换过程中能够有效防止损坏，提高系统的鲁棒性。此外，18N50-ML的热阻特性优良，结到壳的热阻（RθJC）约为1.5℃/W，有利于热量快速传导至散热器，延长器件寿命。其寄生二极管具有较快的反向恢复速度，减少了在桥式拓扑或续流应用中的反向恢复损耗。
该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定的电气参数，漏电流（IDSS）在额定电压下变化较小，适合在工业级宽温环境中长期运行。器件还通过了多项可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和温度循环测试，确保批量应用中的品质一致性。其封装结构具备良好的机械强度和焊接兼容性，支持波峰焊和回流焊工艺，适用于自动化生产流程。
18N50-ML广泛应用于多种中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高电压隔离与高效能转换的场合。典型应用包括AC-DC开关电源适配器、离线式反激变换器（Flyback Converter）、有源钳位反激电路、PFC（功率因数校正）升压开关管、DC-DC变换器中的主开关元件以及小型逆变电源中的功率开关级。
在LED恒流驱动电源中，18N50-ML常作为主控开关管用于隔离式反激架构，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著降低系统温升并提高光效稳定性。在太阳能微型逆变器或储能系统的小型化电源模块中，该器件可用于直流母线侧的开关控制，满足高效率与高可靠性需求。
此外，18N50-ML也适用于电机驱动、电磁炉、UPS不间断电源、充电器和工业控制电源等场景。在这些应用中，器件的高耐压能力可有效应对电网波动或瞬态过压，而其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少驱动损耗，提升高频工作下的整体效率。对于空间受限的设计，如采用SOT-223封装的版本，可在保证一定功率密度的同时实现紧凑布局。由于其良好的性价比和供货稳定性，18N50-ML成为许多中低端电源产品的优选方案之一。
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