类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值约1.8Ω（具体视测试条件而定）
　　连续漏极电流（Id）：18A（25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约260pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值约30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

18N50-HC的核心特性之一是其高击穿电压能力，额定漏源击穿电压可达500V，使其适用于多种高压应用场景，如离线式AC-DC电源、LED驱动电源和光伏逆变器等。这一高耐压能力确保了器件在瞬态过压或电网波动情况下仍能保持可靠运行，提升了系统的整体安全性与稳定性。与此同时，该器件具备较低的导通电阻（Rds(on)），在室温下通常可控制在1.8Ω左右，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率，减少散热需求，从而实现更紧凑的系统设计。
　　另一个显著特点是其优异的开关性能。18N50-HC具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较小，能够有效提升开关速度并减少开关损耗。这对于工作频率较高的电源拓扑结构（如反激式、正激式或LLC谐振变换器）尤为重要。快速的开关响应还能减小磁性元件的体积，进一步缩小电源系统的整体尺寸。此外，器件的跨导（gm）较高，增强了对栅极电压变化的响应灵敏度，有利于实现精确的电流控制。
　　热性能方面，18N50-HC采用TO-220等标准功率封装，具有良好的热传导路径，可通过外接散热片将热量有效传导至环境。其最大结温可达150°C，并支持在较宽温度范围内稳定工作，适应严苛的工业环境。器件还具备良好的雪崩能量承受能力，能够在异常工况下吸收一定的能量而不发生永久性损坏，增强了系统的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了在续流过程中产生的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高了系统可靠性。综合来看，18N50-HC在耐压、导通损耗、开关速度和热管理之间实现了良好平衡，是一款适用于中高功率开关电源的理想选择。

18N50-HC广泛应用于各类需要高效、高可靠性的功率开关场合。在开关电源（SMPS）领域，它常被用作主开关管，尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，用于实现交流到直流的高效转换。这类电源常见于电视机、显示器、笔记本电脑适配器以及家用电器中的内置电源模块。由于其500V的耐压能力，可以直接连接整流后的市电母线电压，无需额外的降压电路，简化了系统设计。
　　在DC-DC转换器中，18N50-HC可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑，特别是在输入电压较高的工业控制系统中表现优异。例如，在太阳能光伏系统中，它可用于直流汇流箱内的MPPT（最大功率点跟踪）电路，帮助提取太阳能板的最大输出功率。此外，在LED照明驱动电源中，18N50-HC凭借其高效率和良好的调光兼容性，成为恒流驱动电路的关键元件，支持宽电压输入和长寿命运行。
　　在电机控制与驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件，实现正反转和调速功能。其快速开关能力和较强的电流承载能力，有助于提升电机响应速度并减少发热。同时，在不间断电源（UPS）、逆变器和电焊机等电力电子设备中，18N50-HC也常用于功率级切换，承担能量传输与波形生成的任务。由于其具备较强的抗干扰能力和环境适应性，亦适用于工业自动化、智能电表和充电桩等场景。

20N50L, 18N50, K2186, FQP18N50C, IRFGB30