时间：2025/7/1 7:11:45
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DMG1013UW-7 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沃尔特功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型 DFN 封装，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适合于高效率、空间受限的应用场景。它主要应用于负载开关、DC-DC 转换器、电源管理电路以及电池供电设备中。
这款 MOSFET 的设计使其能够提供卓越的性能，在便携式电子设备、通信设备和消费类电子产品中有广泛的应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（典型值）：3.8mΩ
栅极电荷：9nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DFN3030-8
DMG1013UW-7 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为 3.8 毫欧姆，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，其快速开关能力使得它非常适合高频开关应用。器件的小型化 DFN 封装进一步增强了其在紧凑型设计中的吸引力。
由于其出色的热稳定性和可靠性，该器件能够在较宽的工作温度范围内正常运行，从而确保在各种环境下的稳定性。同时，DMG1013UW-7 提供了良好的电气保护特性，如过流保护和短路耐受能力，延长了使用寿命。
DMG1013UW-7 广泛应用于需要高效功率转换和小尺寸解决方案的场合，例如：
- 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理模块
- 笔记本电脑适配器及充电器
- 工业自动化控制中的 DC-DC 转换器
- 各种电池供电的物联网 (IoT) 设备
- LED 驱动器及小型家电中的开关电源
凭借其低导通电阻和紧凑封装，DMG1013UW-7 成为许多现代电子产品的理想选择。
DMG1014UW-7
DMG1017UW-7
DMG1020UW-7
