您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMG1013UW-7

DMG1013UW-7 发布时间 时间:2025/7/1 7:11:45 查看 阅读:10

DMG1013UW-7 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沃尔特功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用微型 DFN 封装,具有极低的导通电阻和快速开关特性,适合于高效率、空间受限的应用场景。它主要应用于负载开关、DC-DC 转换器、电源管理电路以及电池供电设备中。
  这款 MOSFET 的设计使其能够提供卓越的性能,在便携式电子设备、通信设备和消费类电子产品中有广泛的应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.6A
  导通电阻(典型值):3.8mΩ
  栅极电荷:9nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:DFN3030-8

特性

DMG1013UW-7 具有非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为 3.8 毫欧姆,这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外,其快速开关能力使得它非常适合高频开关应用。器件的小型化 DFN 封装进一步增强了其在紧凑型设计中的吸引力。
  由于其出色的热稳定性和可靠性,该器件能够在较宽的工作温度范围内正常运行,从而确保在各种环境下的稳定性。同时,DMG1013UW-7 提供了良好的电气保护特性,如过流保护和短路耐受能力,延长了使用寿命。

应用

DMG1013UW-7 广泛应用于需要高效功率转换和小尺寸解决方案的场合,例如:
  - 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理模块
  - 笔记本电脑适配器及充电器
  - 工业自动化控制中的 DC-DC 转换器
  - 各种电池供电的物联网 (IoT) 设备
  - LED 驱动器及小型家电中的开关电源
  凭借其低导通电阻和紧凑封装,DMG1013UW-7 成为许多现代电子产品的理想选择。

替代型号

DMG1014UW-7
  DMG1017UW-7
  DMG1020UW-7

DMG1013UW-7推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DMG1013UW-7资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

DMG1013UW-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C820mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 430mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.622nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds59.76pF @ 16V
  • 功率 - 最大310mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMG1013UW-7DITR