产品类型：陶瓷电容器
　　封装/外壳：1812（4532 公制）
　　电容：0.056 μF (56000 pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：500 VDC
　　介质材料：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度系数：0 ±30 ppm/°C
　　绝缘电阻：≥ 10,000 MΩ 或 R * C ≥ 500 S
　　老化率：0% 每 decade
　　直流偏压效应：无显著变化
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　ESL（等效串联电感）：低
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接形式：贵金属电极，可焊性强
　　符合 RoHS 指令：是
　　AEC-Q200 认证：是

1812B563K501NT 采用 C0G（也称为 NP0）陶瓷介质，这是一种 Class I 类陶瓷材料，具有极其稳定的电气性能。C0G 材料的温度系数为 0 ±30 ppm/°C，在整个工作温度范围内电容值的变化可以忽略不计，远优于 X7R、Y5V 等 Class II 和 III 类介质。这种稳定性使得该电容器非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、滤波器、谐振电路以及精密定时应用中。此外，C0G 介质不表现出电压依赖性，即在接近额定电压下工作时，电容值不会显著下降，这与高介电常数材料（如 X7R）形成鲜明对比。
　　该器件具备高达 500 VDC 的额定电压，能够在高压电源系统中安全运行，例如 DC-Link 电容、高压耦合电路、功率因数校正（PFC）模块等。尽管其体积较大（1812 封装），但在此电压等级下仍提供了较高的电容密度。其绝缘电阻极高（通常超过 10,000 MΩ），漏电流极小，适用于高阻抗电路和采样保持电路。同时，C0G 电容器的老化率几乎为零，不会像铁电介质那样随时间推移发生电容衰减，因此长期可靠性优异。
　　1812B563K501NT 具有良好的高频响应特性，由于其低 ESL 和低 ESR，可在数十 MHz 范围内保持有效的去耦能力，适合用于射频电路和高速数字系统的局部滤波。此外，该器件通过了 AEC-Q200 汽车级认证，表明其在热冲击、湿度、振动和寿命测试方面满足严苛的车规要求，可用于发动机控制单元、车载电源、LED 驱动等场合。其端电极为 100% 钯银合金或类似贵金属体系，确保焊接可靠性，并兼容无铅回流焊工艺。整体结构致密，抗湿性强，降低了在高湿环境中发生短路的风险。

1812B563K501NT 广泛应用于需要高电压、高稳定性和高可靠性的电子系统中。典型应用包括工业电源中的高压滤波与退耦，特别是在开关模式电源（SMPS）的初级侧用于噪声抑制和电压稳定。在 DC-Link 电路中，它可用于储能和平滑母线电压波动，尤其适用于变频器、伺服驱动器和 UPS 系统。由于其 C0G 特性，该电容器也常用于精密模拟信号链中，如运算放大器的反馈网络、有源滤波器、ADC/DAC 参考电压旁路等，确保信号完整性不受温度或频率影响。
　　在射频（RF）和无线通信设备中，1812B563K501NT 可作为匹配网络、LC 谐振电路或耦合电容使用，因其电容值稳定且损耗低，有助于维持系统频率精度和效率。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）以及照明控制系统，满足 AEC-Q200 对环境耐受性的要求。此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，该电容器凭借其长期稳定性与低失真特性，成为关键信号路径中的首选元件。
　　该器件还适用于高脉冲电压场合，如激光驱动器、X 射线发生器和感应加热系统，能够承受瞬态高压冲击而不损坏。其表面贴装设计便于自动化生产，提升了制造效率和一致性，适合大批量组装场景。

CC1812KKX7R9BB564