类型：DRAM
　　内存类型：DDR4 SDRAM
　　容量：4GB
　　组织结构：x16
　　电压：1.2V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：BGA（球栅阵列封装）
　　封装尺寸：96球 FBGA
　　时钟频率：最高可达3200Mbps
　　数据速率：3200Mbps
　　行地址位数：A0-A15
　　列地址位数：A0-A9
　　刷新周期：64ms
　　封装环保标准：符合RoHS标准

W948D2FBJX6E TR 作为一款高性能的DDR4 SDRAM芯片，具备多项先进特性。
　　首先，其采用了1.2V的低电压设计，相较于DDR3的1.5V和1.35V，功耗更低，有助于提高能效并减少热量产生，适用于对功耗敏感的应用环境。
　　其次，该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率，能够显著提升系统内存带宽，从而提高整体计算性能。这对于需要大量数据处理的应用（如服务器、图形处理和嵌入式系统）尤为重要。
　　此外，W948D2FBJX6E TR 采用96球FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有较高的封装密度和良好的电气性能，适用于高密度PCB布局。
　　该芯片还支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）、预充电待机（Precharge Standby）等，能够根据系统负载动态调整功耗，延长电池寿命，适用于便携式设备和嵌入式系统。
　　在可靠性方面，W948D2FBJX6E TR 支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，可在高温环境下自动延长刷新周期，确保数据完整性。同时，它支持伪开漏（POD）驱动器和可调ODT（On-Die Termination）功能，有助于改善信号完整性并减少信号反射。
　　最后，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业级环境，确保在极端温度下的稳定运行。

W948D2FBJX6E TR 主要应用于需要高性能和低功耗内存的设备和系统中。例如，在服务器和工作站中，该芯片可以作为主内存使用，提升多任务处理和大数据运算的效率。在网络设备（如交换机和路由器）中，W948D2FBJX6E TR 能够提供高速缓存支持，提高数据包处理能力。在嵌入式系统中，如工业控制、医疗设备和高端消费类电子产品，该芯片的低功耗和高可靠性使其成为理想选择。此外，该芯片也可用于高性能计算（HPC）系统、图形加速器和存储控制器等应用，满足对内存带宽和容量的高要求。

AS48D16A4A4C-BLAI-6A、MT48LC16M16A2B4-6A、EM78V164ASBA-6D