时间：2025/6/12 3:47:22
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1808N151G302CT 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低寄生电感和高热导率，能够显著提升效率并降低开关损耗。
该型号中的具体参数定义如下：1808代表尺寸或系列编号，N表示N沟道，151指代耐压值（约150V），G代表GaN技术，302可能表示连续漏极电流大小或者优化版本，CT是封装形式。
额定电压：150V
连续漏极电流：30A
栅极-源极电压（最大）：±6V
导通电阻（典型值）：8mΩ
开关频率：最高支持超过10MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：CT（表面贴装型）
1808N151G302CT 的主要特性包括卓越的开关性能、低导通电阻以及高效的热管理能力。
首先，由于采用了氮化镓材料，其电子迁移率远高于传统硅基器件，从而实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。
其次，该器件具备较低的导通电阻，这有助于减少传导损耗，在高负载条件下表现尤为突出。
此外，其紧凑的封装设计结合优秀的散热特性，使其非常适合用于空间受限但对性能要求较高的场景。
最后，该芯片兼容标准驱动电路，简化了系统设计并提高了可靠性。
这款 GaN HEMT 主要应用于高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器、电机驱动控制器、电信电源、服务器电源、电动汽车充电设备以及其他需要高效能量转换的领域。
在 AC/DC 转换中，1808N151G302CT 可以显著提高功率密度，同时减小磁性元件体积。
对于电动汽车充电桩，它支持快速充电功能，并保持低温运行以延长使用寿命。
另外，该器件也适用于激光雷达（LiDAR）系统中的脉冲生成模块，提供精确的时间控制和强大的输出能力。
1808N151G302CP, 1808N150G302CT
