S-8252AAD-M6T1U 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体制造工艺。该器件专为高效率、高频率开关应用设计,广泛适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景。其封装形式为小型表面贴装器件(SMD),能够提供卓越的热性能和电气特性。
型号:S-8252AAD-M6T1U
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:16A
导通电阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗:75W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-263-3(D2PAK)
S-8252AAD-M6T1U 的主要特点是其低导通电阻和快速开关速度。它采用了优化的芯片设计,降低了栅极电荷和输出电容,从而提高了效率并减少了开关损耗。
此外,该器件还具备出色的雪崩能力和抗静电能力,确保在极端条件下的可靠运行。其紧凑的封装形式非常适合空间受限的应用场合,同时提供了良好的散热性能。
该芯片适用于多种电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
2. DC-DC转换器的核心开关元件
3. 电机驱动电路中的功率级控制
4. 工业自动化系统中的负载切换
5. 消费类电子产品中的电池充电管理
S-8252AAD-M6T1U 凭借其高效的开关特性和坚固的可靠性,在这些应用领域表现出色。
S-8252AAD-M6T2U, S-8252AAD-M6T3U