器件类型：肖特基二极管
　　材料：碳化硅（SiC）
　　最大重复反向电压（VRRM）：400V
　　最大有效值电压（VRMS）：283V
　　最大直流阻断电压（VDC）：400V
　　平均整流电流（IF(AV)）：17A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：200A
　　正向压降（VF）：1.65V（典型值，@ IF = 17A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：1.0mA（最大值，@ VR = 400V, TJ = 25°C）；10mA（@ TJ = 175°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC
　　热阻（RθJC）：1.2°C/W（典型值）

17S40LSC的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料制造的肖特基势垒结构，这一材料体系相较于传统的硅基PN结二极管或快恢复二极管，在多项关键性能指标上实现了显著提升。首先，SiC材料具有宽禁带（~3.2eV），使得器件在高反向电压下仍能保持极低的反向漏电流，即使在高温环境下（如175°C）漏电流也仅为10mA，远低于同等规格的硅器件。这不仅提升了系统的待机效率，还减少了漏电流引起的热积累问题，有助于提高长期运行的可靠性。
　　其次，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此17S40LSC在关断过程中几乎不产生反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而彻底消除了反向恢复带来的开关尖峰和电磁干扰（EMI），并大幅降低与之相关的开关损耗。这一特性在高频率（如100kHz以上）PFC升压二极管应用中尤为关键，能够显著提升系统效率2%~5%，同时允许使用更小体积的磁性元件和滤波电容，推动电源向小型化、轻量化发展。
　　此外，17S40LSC具备优异的热性能。其TO-247AC封装设计优化了芯片与外壳之间的热传导路径，热阻（RθJC）低至1.2°C/W，意味着在17A满载工作时产生的热量能高效传递至散热器，防止局部过热。结合其高达175°C的最大工作结温，该器件可在高温环境中持续运行，适用于密闭、通风不良或高环境温度的工业场景。
　　在可靠性方面，17S40LSC通过了严格的AEC-Q101认证（若适用）和高温反偏（HTRB）测试，具备出色的抗雪崩能力和抗浪涌能力（IFSM达200A），可承受短时过流冲击而不发生永久性损坏。其坚固的内部键合工艺和陶瓷填充封装结构也增强了抗振动和热循环能力，适合用于汽车、工业和可再生能源等严苛应用领域。

17S40LSC主要应用于需要高效率、高可靠性和高频率操作的电力电子系统中。最常见的应用场景是连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）电路，作为升压二极管使用。在这些电路中，传统硅快恢复二极管由于存在较大的反向恢复损耗，已成为限制整体效率提升的瓶颈，而17S40LSC凭借其零反向恢复特性，能够显著降低开关管（如MOSFET或IGBT）的开通损耗，提升PFC级效率，满足80 PLUS Titanium等高能效标准的要求。
　　在服务器和数据中心电源中，由于功耗密度极高且对散热要求严格，17S40LSC被广泛用于主输出整流或辅助电源整流环节，帮助降低系统温升，延长设备寿命。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧防反二极管或MPPT电路中的整流元件，其高温耐受能力和低导通损耗有助于提升全天发电效率。
　　此外，17S40LSC也适用于电动汽车车载充电机（OBC）、充电桩电源模块、工业焊接电源、UPS不间断电源以及大功率LED驱动电源等场合。在这些应用中，电源往往工作在高输入电压、高输出功率和高环境温度条件下，17S40LSC的综合性能优势得以充分发挥。其TO-247封装便于安装在标准散热片上，支持多管并联以扩展电流容量，具备良好的系统集成灵活性。

SS140A
　　VS-17S40CP
　　C4D17170A