FP31N392J631EEG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)元器件,主要用于开关和放大应用。该型号由Fairchild Semiconductor(现为Onsemi的一部分)生产,具有低导通电阻、高切换速度和良好的热性能等特性。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺,确保其在各种工业和消费电子领域中表现出色。由于其卓越的电气特性和可靠性,它被广泛应用于电源管理、电机控制以及各类电子设备的功率转换系统中。
类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vds(漏源电压):30V
Rds(on)(导通电阻):2.8mΩ
Id(连续漏极电流):94A
Ptot(总功耗):157W
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ to 175℃
FP31N392J631EEG具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提升整体效率。
2. 高切换速度设计,使得其能够适应高频开关应用。
3. 良好的热性能,保证了即使在高温环境下也能保持稳定运行。
4. 较高的连续漏极电流容量,支持大功率负载需求。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 优化的栅极电荷参数,简化驱动电路设计。
此外,此MOSFET还具有可靠的雪崩能力和短路耐受能力,进一步增强了其耐用性。
FP31N392J631EEG适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动与控制,例如电动车窗、座椅调节器等。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 电池管理系统(BMS),用于保护电池组免受过充或过放。
5. 各类DC-DC转换器和逆变器。
6. LED照明驱动电路。
这些应用得益于其高效的功率处理能力和稳定的电气特性。
FPF31N39-ND, IRFZ44N, STP90NF06L