类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-170mA（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-500mA
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω（@VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（@VGS = -4.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：35pF（@VDS=50V）
　　反向传输电容（Crss）：8pF（@VDS=50V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：TSOP-6/SOT-23-6

17P10L-TN3-R采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备优异的电学性能和热稳定性，特别适用于空间受限但要求高效率的电源管理设计。其P沟道结构允许在高端开关配置中直接使用，无需额外的电荷泵电路来驱动栅极，简化了电源架构并降低了系统成本。该器件的低导通电阻（RDS(on)）在同类产品中表现突出，尤其是在-10V和-4.5V的栅极驱动条件下，能够有效降低导通损耗，提高整体能效。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保在宽泛的工作条件下仍能稳定开启，同时避免因噪声干扰导致的误触发。其输入电容和反向传输电容均处于较低水平，有助于提升开关速度，减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。此外，器件的最大漏源电压达到-100V，使其能够在较高的反向电压环境中安全运行，增强了系统的可靠性和抗压能力。
　　17P10L-TN3-R的TSOP-6封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具有良好的散热性能，能够在有限的空间内有效传导热量。该封装还支持回流焊工艺，适应现代SMT生产线的要求。器件的工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于工业级和汽车级应用场合。同时，其符合AEC-Q101车规认证的可能性使其在车载电子系统中也具备一定的应用潜力。
　　由于其低静态电流和快速响应特性，该器件非常适合用于电池供电设备中的电源开关或负载切换，能够在待机模式下显著降低功耗，延长电池寿命。此外，内置的体二极管提供了反向电流阻断功能，在某些拓扑结构中可省去外部分立二极管，进一步节省成本和空间。总体而言，17P10L-TN3-R是一款集高性能、小尺寸和高可靠性于一体的P沟道MOSFET，适用于多种中低压电源控制场景。

17P10L-TN3-R广泛应用于各类需要高效电源控制的小型电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中的电池开关和电源路径管理；在这些设备中，它用于控制主电源与备用电源之间的切换，或在不同工作模式下启用/禁用特定功能模块以节约能耗。
　　此外，该器件也常用于DC-DC转换器的同步整流或高端开关电路中，特别是在非隔离式降压（Buck）变换器中作为上管使用，能够有效减少导通损耗并提升转换效率。由于其具备良好的瞬态响应能力和低寄生参数，因此在高频开关电源设计中表现出色。
　　在工业控制系统中，17P10L-TN3-R可用于传感器模块、远程终端单元（RTU）或PLC扩展模块的电源管理单元，实现通道隔离或故障保护功能。其高耐压特性也使其适用于某些工业通信接口的电压电平转换和隔离驱动电路。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助电源管理系统中，执行灯光控制、电机驱动或电源冗余切换等功能。其宽温度范围和高可靠性满足严苛的车载环境需求。此外，该器件还可用于USB充电端口的过流保护和插拔检测电路，防止短路或反接造成的损坏。
　　在物联网（IoT）设备和无线模块中，17P10L-TN3-R可用于微控制器外围电路的电源门控，动态关闭未使用的外设以进入低功耗模式，从而延长设备续航时间。其小型封装也非常适合模块化设计，便于集成到紧凑型通信模组中。

DMG1014UW-7
　　SI2301ADS-T1-E3
　　AO3415
　　FDC630P
　　BSS84