时间:2025/12/26 21:27:08
阅读:9
16TTS16STRL是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置,专为高效率、低功耗应用设计。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于高频整流、反向极性保护、电源管理以及信号解调等场景。其紧凑的S-Mini(SOD-523FL)封装使其非常适合空间受限的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端。16TTS16STRL符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作,适用于严苛环境下的电力与信号处理需求。该器件广泛用于DC-DC转换器、电池充电电路、电压钳位和ESD保护等系统中,是提升能效和减小电路体积的理想选择。
类型:双共阴极肖特基二极管
配置:双二极管共阴
最大重复反向电压(VRRM):16V
最大直流阻断电压(VR):16V
峰值脉冲电流(IFSM):1A
最大正向连续电流(IF):160mA
正向压降(VF):典型值0.31V @ 100mA,最大值0.4V @ 100mA
反向漏电流(IR):最大值0.1μA @ 16V,25°C
反向恢复时间(trr):≤5ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-523FL(S-Mini)
安装类型:表面贴装(SMT)
湿气敏感等级(MSL):1级(<=30°C/85%RH)
无铅/符合RoHS:是
16TTS16STRL的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术,这种结构利用金属-半导体结而非传统的PN结,显著降低了正向导通压降,通常在100mA电流下仅为0.31V左右,最高不超过0.4V。这一低VF特性极大地减少了导通损耗,提高了电源转换效率,特别适合于低电压、高效率的DC-DC转换器和电池供电系统。由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件,不存在少数载流子的存储效应,因此具备极快的开关速度,反向恢复时间(trr)小于5纳秒,远优于传统硅整流二极管。这一特性使得16TTS16STRL在高频开关应用中表现优异,能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提升整体系统稳定性。
该器件采用双共阴极配置,即两个阳极独立、阴极相连的结构,这种拓扑常用于双路同步整流或双通道输出电压钳位电路中,简化了PCB布局并减少了外部元件数量。其最大重复反向电压为16V,适用于低压电源系统,例如USB供电、锂离子电池管理系统(3.7V~4.2V)、以及12V以下的工业控制电路。尽管额定电流为160mA连续正向电流,但由于其良好的热设计和S-Mini封装的散热性能,在瞬态负载条件下仍能承受短时高峰值电流,增强了系统的鲁棒性。
SOD-523FL封装是该器件的重要优势之一,尺寸仅为1.6mm x 1.2mm x 0.6mm,属于超小型表面贴装封装,非常适合高密度印刷电路板设计。该封装具有低寄生电感和电容,有助于维持高速信号完整性。此外,其湿气敏感等级为MSL-1,意味着可在常温常湿环境下长期储存而无需特殊防潮措施,极大地方便了自动化贴片生产和仓储管理。产品符合RoHS指令,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品对环保和安全性的严格要求。
16TTS16STRL广泛应用于各类消费类电子、通信设备和工业控制系统中,尤其适用于对空间和能效有严格要求的设计。常见应用包括便携式设备中的电池充电回路,用作防止反向电流流动的隔离二极管;在多路DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流替代方案中的续流二极管,以降低功耗并提高效率;也可用于I/O端口的电压钳位和静电放电(ESD)保护,吸收瞬态过电压脉冲,保护后级敏感集成电路。在USB接口、传感器模块和无线射频前端电路中,该器件可用于信号整流与偏置生成。此外,在LED驱动电路中,它可作为防倒灌二极管使用,确保多个电源路径之间的互不干扰。由于其快速响应能力和低漏电流特性,也适用于采样保持电路和高频检波电路中。在汽车电子领域,虽然其功率等级较低,但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源管理单元中。总之,凡是需要小型化、高效能、快速响应的低压整流与保护场合,16TTS16STRL都是一个可靠且经济的选择。
[
"NSS20100WFT1G",
"BAT54C",
"RB751S40",
"PMDS390"
]