时间：2025/6/20 14:53:40
阅读：7
16SEPF180M 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和大电流应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。这些特性使其非常适合用于工业电源、电机驱动、开关模式电源（SMPS）等高效率应用场景。
由于其高电压承受能力和大电流处理能力，16SEPF180M 在需要高效能量转换和严格散热控制的场景中表现优异。
最大漏源电压：1600V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.4Ω
栅极电荷：39nC
总电容：350pF
功耗：350W
封装形式：TO-247
16SEPF180M 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：能够承受高达 1600V 的漏源电压，适用于高压环境。
2. 低导通电阻：在高电流条件下减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力：较小的栅极电荷和总电容确保了快速的开关速度，降低了开关损耗。
4. 热稳定性：具备良好的热阻特性，可有效降低工作温度，延长使用寿命。
5. 安全操作区域宽：能够在较宽的电流和电压范围内稳定运行，增强了应用灵活性。
6. 可靠性高：经过严格的质量测试，适合长时间连续运行的应用场景。
16SEPF180M 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器，提供高效的能量转换。
2. 工业电机驱动：用于控制各类工业电机的速度和方向。
3. 逆变器：应用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中。
4. 电动工具：为高性能电动工具提供稳定的动力输出。
5. 电动车充电设备：支持快速充电和高效率能量传输。
6. 高压电源：如 X 射线设备和激光器等专业应用中的高压电源模块。
FFD18N160B, IRFP260N, STW96N16MD2
![PANASONIC[Panasonic Semiconductor]](https://file2.dzsc.com/pdfimg/19/05/26/042908443.gif){kind=small}
