16SEPC100MW+C3 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场合。该芯片采用先进的制造工艺,具备优秀的电气特性和热性能,适用于各种开关电源、电机驱动和功率转换电路。其封装形式和引脚布局经过优化设计,方便散热和安装。
该型号中的 '16SEPC100MW' 表示具体的功率MOSFET系列,而 '+C3' 则可能是制造商对其版本或改进代号的标识,表示在电气参数或可靠性方面有一定提升。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):16A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):175W
结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
16SEPC100MW+C3 具有较低的导通电阻,能够显著降低导通损耗,从而提高整体效率。同时,该芯片具备快速开关能力,适合高频应用环境。此外,它还具有良好的热稳定性,能够在高温条件下长时间工作而不影响性能。
该器件内部集成了多种保护功能,如过流保护和短路保护,确保在异常情况下不会对系统造成损害。
其封装形式 TO-247 提供了出色的散热能力,允许更高的功率密度和更小的整体解决方案尺寸。
总体而言,这款芯片是针对工业和汽车应用而设计的,能够满足苛刻的工作条件和高可靠性的要求。
16SEPC100MW+C3 广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器、逆变器和不间断电源(UPS)等领域。
在消费电子领域,它可以用于笔记本电脑适配器、电视电源和家用电器的功率管理模块。
此外,由于其出色的性能和可靠性,该芯片也非常适合工业自动化设备和新能源领域的应用,例如太阳能逆变器和电动汽车动力系统中的功率转换组件。
IRFZ44N
STP16NF50
FQP16N10