16CTQ100S 时间：2025/10/28 9:21:02 阅读：7

16CTQ100S是一款高性能的碳化硅（SiC）肖特基二极管，由ON Semiconductor（安森美）生产。该器件专为高效率、高频率和高温应用而设计，适用于现代电源转换系统中对性能要求较高的场合。作为一款基于碳化硅材料的功率二极管，16CTQ100S具备无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）、低正向压降以及出色的热稳定性的特点，使其在硬开关和软开关拓扑结构中表现出色。其额定平均正向电流为16A，重复峰值反向电压高达100V，能够承受严苛的工作条件。该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于集成到各种功率模块或独立使用。16CTQ100S广泛应用于服务器电源、电信整流器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业电机驱动等高端电力电子设备中。由于其卓越的开关特性和能效表现，该器件有助于提高系统整体效率，减少电磁干扰（EMI），并降低对散热系统的要求，从而实现更紧凑、更可靠的电源设计方案。

参数

型号：16CTQ100S
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：16A（在TC=100°C条件下）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180A（单个半正弦波，t=8.3ms）
　　正向电压降（VF）：典型值1.5V，最大值1.7V（在IF=16A, TJ=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大100μA（在VR=100V, TJ=25°C）；最大10mA（在VR=100V, TJ=150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247-2L
　　是否符合RoHS标准：是

特性

16CTQ100S的核心优势在于其采用第三代碳化硅（SiC）半导体材料制造而成，这种材料相较于传统的硅基二极管具有更高的禁带宽度（约3.2eV vs. 1.1eV），从而显著提升了器件的耐压能力与热稳定性。由于碳化硅材料本身不存在少数载流子存储效应，因此该二极管在关断过程中不会产生反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），也没有反向恢复电流尖峰，极大降低了开关损耗，特别是在高频DC-DC转换器、同步整流电路和PFC（功率因数校正）级中效果尤为明显。此外，零反向恢复特性还有效抑制了由di/dt引起的电压振铃和电磁干扰（EMI），提高了系统的电磁兼容性。
　　该器件在高温环境下依然保持优异性能，在结温达到150°C时反向漏电流仍控制在较低水平（≤10mA @ VR=100V），远优于同等规格的硅快恢复二极管。同时，其正向压降随温度变化较小，具备良好的热稳定性，避免了热失控风险。TO-247封装提供了较大的散热面积和较低的热阻（RθJC），有利于将芯片产生的热量快速传导至散热器，确保长期可靠运行。此外，16CTQ100S具有很高的浪涌电流承受能力（IFSM=180A），可在瞬态过载或启动冲击条件下安全工作，增强了系统鲁棒性。这些综合特性使得16CTQ100S成为追求高能效、小型化和高可靠性电源设计的理想选择，尤其适合用于替代传统硅基超快恢复二极管，以提升整体系统性能并简化外围电路设计。

应用

16CTQ100S被广泛应用于多种高要求的电力电子系统中，尤其是在需要高效能量转换和高频操作的场景下表现出众。它常用于服务器和数据中心的高密度AC-DC电源模块中，作为输出整流级的关键元件，帮助实现90%以上的转换效率，并支持更高的开关频率以减小磁性元件体积。在通信电源和电信整流器中，该器件凭借其低损耗和高可靠性，可延长系统寿命并降低维护成本。在光伏（太阳能）逆变器中，16CTQ100S可用于直流侧升压电路（Boost PFC）或旁路保护功能，提高能源利用率并增强系统安全性。
　　此外，该器件也适用于电动汽车车载充电机（OBC）、直流充电桩以及工业电机驱动中的辅助电源和缓冲电路。在高功率LED照明电源、不间断电源（UPS）和焊接设备中，16CTQ100S同样发挥着重要作用，提供稳定的整流功能并减少发热问题。得益于其宽泛的工作温度范围和优良的热管理能力，即使在恶劣环境条件下也能稳定运行。随着碳化硅技术的普及，越来越多的高端电源设计开始采用此类SiC肖特基二极管来取代传统硅器件，以满足日益严格的能效标准和小型化需求。