16CTQ080SPBF 时间：2025/12/26 20:31:40 阅读：10

16CTQ080SPBF是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的肖特基势垒二极管阵列，主要用于高效率的电源转换和整流应用。该器件采用先进的平面技术制造，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于各种中高功率的直流-直流转换器、逆变器以及电源管理电路。该二极管模块封装为TO-220全塑封装，符合RoHS环保标准，并带有“Pb”标识，表示其为无铅（Lead-Free）产品，适合在对环境要求较高的工业和消费类电子产品中使用。16CTQ080SPBF内部集成了两个独立的8A额定电流的肖特基二极管，每个二极管的最大重复反向电压为80V，因此非常适合用于低压大电流输出的同步整流拓扑结构中。由于其出色的热稳定性和低导通损耗，该器件在高频开关电源中表现优异，能够显著提高系统整体能效并减少散热设计复杂度。此外，该器件具备良好的抗浪涌能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定运行。

参数

型号：16CTQ080SPBF
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：双路肖特基势垒二极管
　　最大反向重复电压（VRRM）：80V
　　最大平均整流电流（IO）：16A（总）/每芯片8A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向压降（VF）：0.54V @ 8A, TJ=125°C
　　最大反向漏电流（IR）：2.0mA @ 80V, TJ=125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AC（全塑封）
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）
　　引脚数：3
　　极性：双共阴极（Common Cathode）或可配置连接

特性

16CTQ080SPBF的核心优势在于其卓越的电性能与热稳定性相结合，使其成为现代高效电源系统中的理想选择。首先，该器件采用了优化的肖特基势垒结构，在保证高阻断电压的同时实现了极低的正向导通压降，典型值仅为0.54V（在8A和结温125°C条件下），这直接降低了导通期间的能量损耗，提高了电源转换效率。相较于传统的快恢复二极管或普通PN结二极管，这种低VF特性在大电流应用场景下尤为关键，可显著减少发热，从而降低对散热器尺寸的要求，节省空间和成本。
　　其次，16CTQ080SPBF具备非常快速的反向恢复时间（几乎可以忽略不计），这是肖特基二极管固有的物理特性决定的。由于没有少数载流子的储存效应，其开关过程极为迅速，避免了在高频开关过程中产生额外的开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特点使得它特别适用于工作频率高达数百kHz甚至更高的DC-DC变换器，例如服务器电源、通信设备电源模块、太阳能逆变器等场合。
　　再者，该器件拥有宽广的工作结温范围（-65°C至+175°C），表明其在极端温度环境下仍能可靠运行，无论是寒冷的户外环境还是高温密闭的工业控制柜内都能胜任。同时，其高达175°C的最大结温也提供了充足的热裕量，有助于提升系统的长期可靠性。封装方面，TO-220AC形式不仅便于安装和散热，还具备良好的机械强度和电气绝缘性能。此外，作为一款符合RoHS指令且无卤素的产品，16CTQ080SPBF满足当前全球对绿色电子产品的严格要求，适用于出口型及环保认证项目。

应用

16CTQ080SPBF广泛应用于各类需要高效能量转换的电力电子系统中。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流环节，特别是在单端正激、推挽或全桥拓扑结构中用作输出整流二极管；在DC-DC升压或降压转换器中作为续流二极管，确保电感电流连续并防止反向电压冲击；在不间断电源（UPS）和逆变器系统中执行能量回馈路径的单向导通控制；以及在太阳能光伏逆变器中用于防反二极管或组串保护。此外，该器件也适用于电池充电管理系统、电动工具电源单元、工业自动化设备的供电模块以及电信基础设施中的板载电源（POL）设计。由于其双通道8A集成结构，16CTQ080SPBF还能有效简化PCB布局，减少元件数量，提高功率密度，尤其适合对空间紧凑性和系统效率有较高要求的应用场景。