时间：2025/9/1 16:06:19
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GM71C18163BT6是一款由GSI Technology公司生产的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件广泛应用于需要高速数据访问和可靠存储的系统中，如网络设备、通信设备、工业控制设备以及嵌入式系统等。该SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问时间及高可靠性等优点。GM71C18163BT6采用54引脚TSOP封装，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适合在各种严苛环境下使用。
存储容量：1Mbit（64K x 16）
组织方式：x16
电源电压：3.3V
访问时间（tRC）：10ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：54引脚TSOP
接口类型：并行异步
功耗：最大工作电流约250mA
GM71C18163BT6是一款高速异步SRAM芯片，其最大访问时间为10ns，可满足对数据读写速度要求较高的应用场景。该芯片支持异步操作，无需时钟信号控制，简化了系统设计。其采用CMOS技术制造，具备较低的功耗特性，尤其在待机模式下电流消耗极低，有助于提高系统能效。此外，该芯片具备高抗干扰能力，在复杂电磁环境中仍能保持稳定运行。GM71C18163BT6的存储结构为64K x 16位，提供1Mbit的存储容量，适合用于缓存、高速数据缓冲和临时数据存储等任务。芯片内置地址和数据锁存器，减少了外部控制电路的复杂性，提高了系统集成的便利性。其TSOP封装形式有助于减小PCB空间占用，同时具备良好的热稳定性。
该芯片常用于网络路由器和交换机中的高速缓存、通信设备的数据缓冲、工业控制系统的临时存储、嵌入式系统的程序和数据存储、测试与测量设备的临时数据存储、以及高性能计算模块中的临时数据存储单元。
CY7C18163BV30、IDT71V18163SA、IS61LV18163B
