型号：15N06G-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大连续漏极电流(ID)：15A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：60A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　阈值电压(Vth)：典型值2.3V，范围1.8V~3.0V
　　导通电阻(RDS(on))：最大值7.5mΩ（当VGS=10V时），最大值9.5mΩ（当VGS=4.5V时）
　　输入电容(Ciss)：典型值1760pF（在VDS=30V，f=1MHz条件下）
　　输出电容(Coss)：典型值490pF
　　反向传输电容(Crss)：典型值95pF
　　总栅极电荷(Qg)：典型值38nC（在VDS=30V，ID=15A，VGS=10V条件下）
　　上升时间(tr)：典型值18ns
　　下降时间(tf)：典型值16ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装：PowerDI5060-6L
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　通道数：单通道
　　极性：增强型
　　功耗(PD)：54W（最大值，Tc=25°C）

15N06G-TN3-R采用先进的沟槽型场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，从而显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效。在VGS=10V时，其最大RDS(on)仅为7.5mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，尤其适合大电流应用场景。
　　该器件的栅极电荷Qg典型值为38nC，较低的Qg意味着驱动电路所需的能量更少，有助于提高开关频率并减少驱动损耗，非常适合高频DC-DC转换器、同步整流器等高速开关电路。
　　其输入电容Ciss和反向传输电容Crss分别为1760pF和95pF，较小的电容值有助于减小开关过程中的电压和电流应力，进一步优化EMI性能和开关响应速度。
　　15N06G-TN3-R具备高达15A的连续漏极电流承载能力，并可在短时间内承受60A的脉冲电流，展现出优异的动态负载适应能力，适用于电机驱动、电池管理系统和负载开关等瞬态电流较大的场合。
　　器件采用PowerDI5060-6L封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至内层或底层，有效降低热阻，提升散热效率。该封装尺寸紧凑（约5mm x 6mm），节省PCB空间，适用于高密度布局设计。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端温度环境下仍能可靠工作。内置的体二极管具有较低的反向恢复时间，减少了反向恢复损耗，提升了在感性负载切换时的安全性与效率。
　　总体而言，15N06G-TN3-R凭借其低RDS(on)、低Qg、高电流能力和优良封装散热设计，成为中小功率电源系统中的理想选择，兼顾性能、效率与可靠性。

15N06G-TN3-R广泛应用于各类中低压直流电源系统中，尤其是在需要高效率和小体积的设计中表现突出。常见应用包括同步降压（Buck）和升压（Boost）转换器，作为主开关或同步整流开关使用，可显著降低导通损耗，提升转换效率，适用于笔记本电脑、平板电脑、路由器等便携式设备的电源模块。
　　在电池供电系统中，如电动工具、无人机和移动电源，该器件可用于电池保护电路中的充放电控制开关，利用其低导通电阻减少能量浪费，延长续航时间。
　　它也常用于负载开关和热插拔电路中，作为电源路径控制元件，因其快速响应能力和高电流承载能力，能够有效防止浪涌电流对系统造成冲击。
　　在LED照明驱动电路中，15N06G-TN3-R可用于恒流调节或PWM调光开关，凭借其快速开关特性和低开关损耗，实现高效精准的亮度控制。
　　此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，作为低端或高端开关使用，提供可靠的电流切换能力。
　　在服务器和通信设备的多相VRM（电压调节模块）设计中，多个15N06G-TN3-R并联使用可分担大电流负载，提高系统冗余性和散热均匀性。
　　由于其符合RoHS标准且不含卤素，适用于对环保要求严格的工业和消费类电子产品，满足现代绿色电子设计趋势。

DMG15N06GK-7;SI15N06G-T1-E3;AOZ15N06G;FDS15N06G;CSD15N06G