容量：8Mbit
　　组织结构：1M x 8位
　　接口类型：并行接口
　　访问时间：90ns
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取电流：最大10mA
　　待机电流：最大10μA

HY29F800ABT-90具有多项优异特性，适用于多种嵌入式存储需求。
　　首先，该芯片采用高性能的NOR Flash技术，支持快速的随机访问，访问时间仅为90ns，适合需要快速启动和执行代码的应用。其并行接口设计确保了数据传输的高效性，适用于对速度要求较高的系统。
　　其次，HY29F800ABT-90的工作电压范围为2.7V至3.6V，使其能够适应不同的电源设计环境，提高了系统设计的灵活性。该芯片的低功耗特性也非常突出，在待机模式下的电流消耗仅10μA，适合电池供电设备或对能效有较高要求的系统。
　　此外，该Flash芯片具备较高的可靠性，擦写寿命可达10万次以上，数据保持时间可达10年以上。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够适应工业级工作环境，确保在恶劣条件下稳定运行。
　　最后，HY29F800ABT-90采用56引脚TSOP封装，符合行业标准，便于PCB布局和自动化生产，降低了制造成本并提高了产品的可维护性。

HY29F800ABT-90主要应用于需要非易失性存储和快速启动的嵌入式系统。例如，它常用于工业控制设备中的固件存储、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙或以太网模块）中的程序存储、消费类电子产品（如数字相框、智能家电）中的数据和代码存储，以及汽车电子系统（如车载导航系统、仪表盘控制器）中的关键信息存储。此外，该芯片也适用于需要高可靠性和宽温范围的工业和车载应用，确保设备在各种环境下稳定运行。

AM29LV800BB-90, MX29LV800ABTC-90, S29AL008D90TFI020