品牌：Power Integrations
　　系列：InnoSwitch3-Pro
　　拓扑结构：反激式
　　开关技术：GaN (PowiGaN)
　　输入电压范围：90VAC - 400VAC
　　最大输出功率：15W
　　控制器类型：初级侧 PWM 控制器
　　封装类型：InSOP-28D
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　隔离电压：7500 VAC（1 分钟）
　　控制模式：准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）
　　反馈机制：FluxLink? 数字反馈（无光耦）
　　集成特性：初级开关、次级控制器、同步整流驱动、保护电路

15FXV-RSM1-GAN-ETF 采用了 Power Integrations 独家的 PowiGaN 技术，将氮化镓（GaN）功率开关集成在初级侧，相比传统硅基 MOSFET，GaN 器件具有更低的导通电阻和开关损耗，能够在高频下高效运行。这一技术使得电源系统可以在更高的开关频率下工作，从而减小变压器和滤波元件的尺寸，显著缩小整体电源体积。同时，由于开关损耗的降低，散热需求也大幅减少，有助于实现无散热器的设计，特别适合对空间和热管理要求严格的便携式或密闭环境应用。
　　该器件集成了初级侧控制器、高压 GaN 开关、次级侧控制器和同步整流驱动器，形成一个高度集成的数字电源解决方案。这种集成方式不仅减少了外围元件数量，还提升了系统的可靠性和生产一致性。通过 FluxLink? 隔离数字通信技术，次级侧可以实时向初级侧传输电压和电流反馈信息，实现 ±1% 的输出电压精度和 ±3% 的恒流调节精度，满足高精度电源的需求，如充电器、适配器和工业传感器供电等。
　　在控制策略方面，15FXV-RSM1-GAN-ETF 支持准谐振（QR）和连续导通模式（CCM）两种工作模式，控制器可根据负载条件自动切换，优化轻载和满载下的效率表现。在轻载时进入突发模式（Burst Mode），有效降低待机功耗，轻松满足全球最严格的能效标准，如 DOE Level VI、EU CoC Tier 2 和 Energy Star 等。
　　此外，该器件内置了多重保护机制，包括输出过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、输入欠压/过压锁定（UVLO/OVLO）以及同步整流管短路保护等。所有保护功能均可通过次级侧 IC 进行精确设定和监控，提升了系统的安全性与灵活性。其高集成度和智能化控制使其成为现代高效、小型化电源设计的理想选择。

15FXV-RSM1-GAN-ETF 广泛应用于需要高效率、小体积和高可靠性的 AC-DC 电源转换场合。典型应用包括 USB Type-C 充电器、智能手机和便携设备的通用适配器、智能家居控制模块、工业传感器和 PLC 辅助电源、网络通信设备（如路由器、交换机）的板载电源、医疗设备中的低功耗隔离电源模块，以及楼宇自动化系统中的远程供电单元。
　　由于其支持宽输入电压范围，该器件特别适合用于全球通用输入的电源设计，无需额外的电压选择开关或复杂前端电路。其高能效特性使其在待机功耗敏感的应用中表现出色，例如智能电表、物联网网关和无线接入点等需要长期运行的设备。
　　此外，得益于 FluxLink? 无光耦反馈技术，该模块在高温、高湿或电磁干扰较强的工业环境中仍能保持稳定的输出性能，避免了传统光耦因老化而导致的性能下降问题，延长了产品使用寿命。因此，在工业自动化、过程控制和户外设备供电等领域也得到了广泛应用。
　　对于需要多路输出或精确恒压/恒流输出的应用，该器件可通过外部电路配置实现灵活的输出调节，适用于 LED 驱动、电池充电管理和嵌入式系统供电等多种场景。其高度集成的设计也简化了 PCB 布局和认证流程，有助于加快产品上市时间。

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