时间：2025/5/8 16:54:30
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15326667 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，从而提高系统效率并降低热量损耗。
该器件通常以 TO-220 或 DPAK 封装形式提供，适用于高电流和高电压的应用环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220, DPAK
15326667 功率 MOSFET 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少导通状态下的功率损耗。
2. 快速开关性能，有助于在高频应用中保持高效率。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性和可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，适合同步整流和续流二极管应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
15326667 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路，尤其是大功率直流电机控制。
3. 逆变器设计，例如太阳能逆变器和不间断电源 (UPS)。
4. 汽车电子设备，如电动助力转向系统和制动系统。
5. 各类工业自动化设备的功率控制模块。
IRFZ44N, FDP5583, STP30NF06
