型号：IRL1404STRRPBF
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大连续漏极电流（ID）：162A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：210A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大导通电阻（RDS(on) max）：4.7mΩ @ VGS = 10V, ID = 81A
　　导通电阻（Typical RDS(on)）：4.1mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：93nC @ VGS = 10V
　　输入电容（Ciss）：3300pF @ VDS = 20V
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　上升时间（tr）：30ns
　　下降时间（tf）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：D2PAK（TO-263）
　　安装类型：表面贴装

IRL1404STRRPBF采用了英飞凌先进的沟槽栅极工艺技术，这种结构不仅提升了载流子迁移效率，还显著降低了导通电阻，从而在高电流应用中实现了更低的功耗和更高的能效。其典型的RDS(on)仅为4.1mΩ，在VGS=10V条件下，即使在大电流负载下也能有效减少发热，提高系统稳定性。该器件的高电流承载能力（连续漏极电流高达162A）使其非常适合用于需要大功率输出的应用场景，如大功率DC-DC转换器、电机驱动电路和电池管理系统。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，栅极电荷（Qg）仅为93nC，意味着在高频开关操作中所需的驱动功率较小，有助于降低驱动电路的设计复杂度并提升整体效率。输入电容（Ciss）为3300pF，在高频应用中表现出良好的响应速度，同时其开启和关断延迟时间短（分别为15ns和35ns），配合快速的上升和下降时间，使得器件能够在数百kHz甚至更高频率下稳定运行。
　　热性能方面，D2PAK封装提供了良好的散热路径，结合芯片内部优化的热阻设计，确保在高功率密度环境下仍能维持可靠的工作温度。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。此外，该MOSFET具备较强的雪崩耐量，能够在电压瞬变或感性负载切换时承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性和长期可靠性。
　　由于其无铅封装和符合RoHS标准，IRL1404STRRPBF满足现代绿色电子产品的环保要求，广泛应用于通信电源、服务器电源、电动工具、UPS系统及新能源控制系统中。其高性价比和稳定性能使其成为中低压大电流功率开关设计中的优选器件之一。

IRL1404STRRPBF广泛应用于需要高效、大电流开关能力的电力电子系统中。典型应用包括同步降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中用于CPU或GPU供电，其低RDS(on)和高电流能力可显著降低导通损耗，提高电源效率。在DC-DC变换器中，该器件常作为主开关管或同步整流管使用，适用于48V转12V、12V转5V或3.3V等常见拓扑结构。在电机驱动领域，如电动工具、无人机电调和小型电动车控制器中，IRL1404STRRPBF可用于H桥或半桥配置，实现高效的电机正反转和调速控制。
　　该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，因其低导通电阻可减少电池能量损耗，延长续航时间。在电源管理单元中，可用作负载开关或热插拔控制器的主开关元件，提供快速响应和低电压降。此外，在不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能充电控制器等能源转换设备中，该MOSFET可用于功率级开关，提升系统转换效率。
　　由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，该器件也可用于工业自动化设备、PLC模块、继电器替代电路以及汽车辅助电源系统。在消费类电子产品中，如大功率LED驱动、笔记本电脑适配器和游戏主机电源模块中也有广泛应用。其表面贴装封装便于自动化生产，适合大规模SMT生产工艺，提升制造效率和产品一致性。

IRL404ZPBF
　　FDP1404N
　　SPF1404Z
　　SQM1404EL