型号：14N50-ML
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vdss)：500V
　　连续漏极电流(Id)：1.2A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：4.8A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　功耗(Pd)：40W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值2.0Ω，最大值2.5Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：典型值3.0V，范围2.0~4.0V
　　输入电容(Ciss)：典型值520pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：典型值100pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：典型值78ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP

14N50-ML采用ST成熟的平面MOSFET工艺制造，具备出色的电气性能和长期可靠性。其主要特性之一是拥有高达500V的漏源击穿电压，使其能够安全地用于通用交流输入（85~265V AC）的离线式电源系统中。在正常工作条件下，该器件可在Vgs=10V时实现低于2.5Ω的低导通电阻，有效降低导通损耗，提高整体能效。此外，该MOSFET具有较优的跨导特性，确保快速开关响应，减少开关过渡时间，从而降低动态损耗。
　　该器件还具备良好的热稳定性，其最大功耗可达40W，配合合适的散热片可在较高环境温度下持续运行。得益于TO-220FP封装的低热阻设计（Rth(j-c)约3.125°C/W），热量可高效传导至外部散热结构，防止因局部过热导致的性能下降或损坏。同时，14N50-ML具有较强的抗雪崩能量能力，在非钳位感性关断测试中表现出较高的鲁棒性，适用于存在较大瞬态电压冲击的应用场合。
　　在栅极驱动方面，该MOSFET支持标准逻辑电平驱动（推荐Vgs≥10V），并具备±30V的栅源电压耐受能力，增强了对异常电压尖峰的容忍度。输入和输出电容较小，有助于减少驱动电路的功率消耗，并简化驱动设计。此外，其反向恢复时间较短（典型78ns），配合快速恢复二极管使用时可降低体二极管反向恢复带来的损耗和EMI干扰。
　　14N50-ML还通过了多项国际认证，符合RoHS指令要求，无铅且环保，适合自动化装配流程。其引脚配置清晰，便于PCB布局和热管理设计，广泛用于工业控制、家用电器电源、LED驱动电源等领域。总体而言，这是一款性能均衡、成本适中、可靠性高的中高压功率MOSFET器件。

14N50-ML主要用于各类中等功率开关电源系统中，特别是在需要将交流市电转换为直流电压的离线式拓扑结构中表现优异。常见应用包括反激式（Flyback）转换器、正激式（Forward）转换器以及电流模式控制的AC-DC适配器和充电器电源模块。它也常被用于待机电源（Standby Power Supply）设计中，为电视、机顶盒、路由器等家电设备提供低功耗辅助电源输出。
　　在照明领域，14N50-ML可用于电子镇流器和LED恒流驱动电源，特别是在隔离式降压或反激驱动方案中作为主开关元件，实现高效稳定的光输出控制。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的开关特性，能够在宽输入电压范围内稳定工作，适应不同国家和地区的电网波动。
　　在工业应用中，该器件可用于小型逆变器、电机控制辅助电源、继电器驱动电路以及不间断电源（UPS）中的DC-DC变换部分。此外，在消费类电子产品如打印机、扫描仪、小功率音响系统的内置电源中也有广泛应用。
　　由于其封装形式为TO-220FP，易于安装散热片，因此特别适合自然冷却或风冷条件下的中低密度板级设计。对于需要维修更换或手工焊接的生产环境，这种通孔封装也提供了更高的操作便利性和连接可靠性。总之，14N50-ML凭借其高耐压、合理导通电阻和稳健的封装设计，成为多种中小功率电力电子系统的首选开关器件之一。

STP14NM50N
　　14N50
　　K14N50D
　　FQP14N50