时间：2025/7/9 19:55:10
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HH18N110G500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率管理的场景中。其耐压能力高达 110V，适用于多种中低压应用环境。
型号：HH18N110G500CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源极电压(V_DS)：110V
最大栅源极电压(V_GS)：±20V
最大连续漏极电流(I_D)：500A
最大脉冲漏极电流(I_PULSE)：1000A
导通电阻(R_DS(on))：1.5mΩ (在 V_GS = 10V 时)
总栅极电荷(Q_g)：36nC
输入电容(C_iss)：4850pF
输出电容(C_oss)：350pF
反向传输电容(C_rss)：1170pF
功耗(P_TOT)：100W
工作温度范围(T_J)：-55℃ 至 +175℃
HH18N110G500CT 具有卓越的电气性能和可靠性。
1. 极低的导通电阻 (R_DS(on)) 使得该器件在高电流应用中表现出更高的效率和更低的发热。
2. 高速开关能力使其非常适合高频开关电源和逆变器设计。
3. 耐用的封装结构确保了在恶劣环境下长时间运行的稳定性。
4. 内置雪崩保护功能，提高了器件的抗浪涌能力和安全性。
5. 支持大电流操作，能够在极端负载条件下保持稳定的性能。
6. 广泛的工作温度范围允许其在工业和汽车领域得到广泛应用。
由于这些特点，HH18N110G500CT 成为了许多高效能功率转换系统中的理想选择。
HH18N110G500CT 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关元件。
2. 电机驱动器中的功率放大和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率调节模块。
4. 新能源领域的逆变器和 DC-DC 转换器。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
6. 其他需要高电流、快速开关和高效能量转换的应用场景。
IRFP2907, FDP17N10, IXFN120N10T2
