时间：2025/7/22 6:14:04
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14N04 是一款常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）型号，通常用于电源管理和开关电路中。它属于N沟道增强型MOSFET，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于多种电源转换和控制应用。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：14A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
14N04 MOSFET的主要特性包括低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其低RDS(on)特性可以减少导通损耗，提高系统效率，适用于高频率开关应用。此外，该器件的封装设计（通常为TO-220或DPAK）提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定工作。
该MOSFET还具有较强的过载和瞬态电压承受能力，适用于各种电源管理电路，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于集成到不同系统中。
14N04广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制器、负载开关和功率放大器等电路中。由于其高效率和良好的热性能，它常用于需要高电流和高频率开关的场合，例如在工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统中。
IRFZ44N, FDPF4N40, STP4NK60Z
